三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片
2020-01-03
来源:镁客maker网
据外媒报道,三星电子正在考虑用3nm工艺制造芯片,三星实际领导人李在镕在参观位于京畿道华城的开云棋牌官网在线客服研发中心时,特地探讨了围绕3nm的开云棋牌官网在线客服战略。
据了解,三星的开云棋牌官网在线客服战略计划是采用正在研发中的最新3nm全栅极(GAA)工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。
围绕GAA,三星电子表示,3nm GAA技术的逻辑面积效率比5nm制造工艺提高35%,功耗降低50%,性能方面则提高约30%。
三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产,这个时间点要早于台积电。
据悉,台积电原计划于2023年量产3nm制程的处理器,但是根据台积电晶圆厂业务高级副总裁JK Wang的最新说法,这个时间节点已经提前一年,将于2022年可似乎3nm工艺的规模量产。规模量产,意味着台积电已经具备满足多家客户、不同产品上市需求的产能和良品率。从量产时间点来看,虽然三星在3nm工艺上要早于台积电一年,不过最后结果如何,目前依旧不能下定论。
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