自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现，但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场，已渗透到4G LTE无线基础设施市场，预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。

 在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下，预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。过去十年，全球对电信基础设施的投资一直很稳定，并且，中国政府的投入近年持续增长。在这个稳定的市场中，更高的频率趋势，为RF GaN在5G网络频率低于6GHz（sub-6Ghz）的功率放大器（PA）中找到了用武之地。

 随着技术的发展，终端设备对于开云棋牌官网在线客服器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来，也进一步推动了以氮化镓（GaN）第三代开云棋牌官网在线客服材料的快速发展。