SiC的突破要解决技术和原材料两大难题
2019-07-22
作者:王伟
随着硅材料的负载量逐渐接近极限,以硅为基片的开云棋牌官网在线客服器件性能和能力极限已无可突破的空间。人们遂将目光投向以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽带隙开云棋牌官网在线客服材料。其中,SiC作为目前发展最成熟的宽禁带开云棋牌官网在线客服材料最受重视,被业内公认为最具发展前景的“一种未来的材料”,预计在今后5~10年将会取得快速发展并有显著成果出现。目前世界各国都在SiC领域投入重资,意图能够在硅基开云棋牌官网在线客服以外保持自己国家在IC产业的领先地位。
作为SiC功率元器件的领先企业,罗姆日前在北京召开媒体会,罗姆开云棋牌官网在线客服(北京)有限公司技术中心所长水原德健先生详细介绍了SiC的市场动向和罗姆的产品战略。
罗姆开云棋牌官网在线客服(北京)有限公司技术中心 所长 水原德健
SiC功率元器件的性能优势
SiC是以1:1的比例,用硅和碳生成的化合物开云棋牌官网在线客服材料。在生产流程中,专门的SiC晶片在工厂中开发和加工,从而形成基于SiC的功率开云棋牌官网在线客服。基于SiC的功率开云棋牌官网在线客服和其竞争技术是专用晶体管,可在高电压下切换电流。
水原德健先生针对开云棋牌官网在线客服功率元器件中最主要的三种材料--Si、SiC和GaN,从物理特性上做了一一对比。与传统的硅基功率开云棋牌官网在线客服器件相比,SiC功率器件击穿场强度更强,耐电压更高,是同等硅器件耐压的10倍,更适合应用于高压器件;其次,SiC的熔点更高,可以耐高温,大约是硅的3倍以上;第三,SiC的电子饱和速度会更快,功率器件的频率可以做的更高;第四,SiC的热传导性很高,易于冷却;最后,SiC的的禁带宽度会更宽一些,这样可以使得工作温度做的更好。
SiC优异的材料特性
由于SiC具有上述物理特性,基于SiC的功率元器件相比硅基功率元器件,其性能上就更具优势,例如更低的阻抗、更高的频率、更好地散热效果。反映到芯片上,最大的好处就是可以把芯片做小,同时保持很好的高频特性、高温特性和更高效率。因此基于SiC的功率元器件在汽车或者工控行业用的比较多。以5000W DC/DC举例, IGBT产品的重量要达到将近7kg左右,体积大约是8升甚至更大。如果使用SiC功率元器件,重量可以降到原来的1/8左右。而且由于芯片体积减小了,功耗更低,散热板也变小了。同时频率的提高了,也会带动整个周边器件(包括变压器、线圈)都可以做的很小。从而可以采用水冷降温或用一些很小的散热板,进一步减小芯片面积。因此使用SiC功率元器件,不仅可以令系统成本下降,性能显著提高,还可以将系统尺寸大幅缩减。
功率开云棋牌官网在线客服器件的使用场景
水原德健先生指出,目前Si产品在市场应用最多的还是在光伏、大数据和服务器方面,这是SiC产品比较成熟的应用场景。接下来用的比较多的将会是新能源汽车、各种充电站和电源,还有一些家电产品上,但家电产品目前仅限于日本。另外当前SiC产品还是以1700V和1200V为主,所以在风能上用的比较少一些,未来如果能突破3300V,风能也将是很大的一个市场。随着电压进一步提高到3600V甚至5000V以上,SiC在铁路上也将迎来广阔的应用前景。
罗姆的SiC发展策略
罗姆从2000年通过产学合作方式开始了SiC产品的研发;2009年收购了德国一家主要做碳化硅柱、碳化硅衬底的晶圆厂SiCrystal;于2010年实现了SiC肖特基的量产;2010年底同时量产了SiC的MOS,成为全球首家量产SiC MOS的企业;2012年罗姆量产了SiC的模块,同样是全球首家量产的企业;2015年量产了沟槽型SiC MOS。现在罗姆的晶圆可以做到六英寸。
罗姆SiC芯片产品阵容
罗姆的SiC产品分成三类,SiC的肖特基、SiC的MOS和SiC的功率模块。未来,SiC肖特基的发展趋势是晶圆做得越来越大,由原来的4英寸转化为现在的6英寸,还有就是封装做得越来越多元化。SiC MOS产品除了晶圆尺寸变大之外,还会将电流和电压做大,同样封装也会变得越来越丰富,便于工控产品上更方便地使用。第二个就是车规品更多一些,第三个就是说把封装做的越来越全一些,越来越丰富一些。
除了具体的产品以外,罗姆的生产体制也非常有特色,遵循IDM生产体制。在SiC制作工艺上,首先是碳化硅柱,然后经切片到晶圆,晶圆切出来之后,还要在晶圆上进行各种各样的光耦合,做成芯片,然后进行封装。在这整个的过程中,从碳化硅原材料开始,一直到最后的封装组装,罗姆全部都是自行完成的,因此可以给客户提供长期稳定,高品质的供货。
水原德健先生认为,SiC市场的竞争点有两个,一是技术二是原材料,只有解决了这两个问题,才有可能在未来的拼杀中有生存的希望。这也是为什么罗姆在2009年收购SiCrystal的原因所在。同时,水原德健先生还透露,在未来,罗姆在SiC产品上会阶段性的继续投资持续投资,到2025年预计累计投资850亿日元。SiC的生产能力到2021年会达到2017年的6倍,2025年时将会达到2017年的16倍。