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IGBT技术将成为主力军 ST迎头赶上

2019-06-18
关键词: IGBT ST MOSFETs

  我们都知道,功率器件细分产品主要包括MOSFETs,功率模块,整流桥,IGBT等。据Yole Development统计和预测,17-21年功率器件市场规模CAGR 为5.39%,其中MOSFETs(5.23%),IGBT(9.02%),功率模块(6.20%),二极管(2.8%),晶闸管(2.71%),整流桥(4.72%)。

  MOSFETs 和IGBT是新能源汽车结构的主力军,它们的发展程度可以说决定了新能源汽车技术未来的走势。详细的介绍一下这哥俩的本事:

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  大红大紫的IGBT

  IGBT这个词你可能从没听过,但它一直在我们身边默默服务。小到微波炉、变频空调、变频冰箱,大到新能源汽车、高铁,甚至航母的电磁弹射,IGBT都不可或缺。IGBT是能量变换和传输的核心零件。常见的强电只有50Hz交流电,变压器只能改变它的电压。有了IGBT这种开关,就可以通过电路设计和计算机控制,改变交流的频率,或者把交流变直流。

  IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT也广泛应用在家用电器、相机和手机上。

  ST看到了IGBT技术的光明前景,欲打造一条几乎覆盖全产业链的产品线,里面不但有低压场效应管(MOSFET),还有高压绝缘电晶体(IGBT)等电源装置。这也就意味着它们完全有能力直接并轨即将到来的混动和电动车市场,为制造商提供完整的设计解决方案。

  随着IGBT 模块已在全球新能源汽车中得到非常广泛应用,市场对于整车性能要求的迅速提高,汽车级大功率IGBT呈现出高电压、高效率、高功率密度和高可靠性的发展趋势。未来5年电动汽车的功率占比将会逐步提高,而IGBT和SiC MOSFET逆变器将共存数年。

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