台积电提交公告表示，6纳米技术提供客户更多具成本效益的优势，并且延续7纳米技术在功耗及效能上的领先地位。台积电的6纳米技术的逻辑密度比7纳米技术增加18%。

　　新的6nm制程采用了EUV光刻技术，据称与第一代7nm制程相比，晶体管密度增加了18%，而设计规则与第一代7nm制程完全兼容，便于升级迁移和降低成本。

　　台积电的6nm制程预计将于2020年第一季度试产，适用于中高端移动芯片、消费应用、人工智能、网络、5G、高性能计算。

　　在过去几年里，英特尔在新制程方面进展缓慢，而其10nm制程在大规模生产方面也进展缓慢，主要原因是该公司对技术指标要求高，难以投入生产。

　　另一方面，台积电和三星取得了很大进展。除了技术上的突破，他们采取了更加灵活的策略，降低了新技术的难度，每次稍有改进就会做出一个新的版本。

　　例如，台积电的16nm制程是一个重要节点，而12nm则是在此基础上进行了升级和优化。三星则更加复杂，除了14nm、10nm、7nm、5nm的升级版，还有一系列过渡版，如11nm、8nm、6nm、4nm。

　　近日，台积电宣布，其5nm EUV制程已开始试制。与7nm相比，该公司的5nm EUV制程可使性能提高15%。与此同时，三星的5nm EUV制程可使功耗降低20%，性能提高10%。