4月16日，三星电子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工艺技术已完成开发，现已可以为客户提供样品。

　　与7nm相比，三星的5nmFinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而获得更多创新的标准单元架构。与7nm LPP一样，三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技术，并减少了掩模层，同时提供更好的保真度。

　　三星表示，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm专利应用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大的降低成本，预先验证的设计生态系统，能够缩短他们5nm产品的开发时间。

　　三星电子晶圆代工业务的执行副总裁Charlie Bae 表示：“成功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力。为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

　　2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。

　　此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。

　　Charlie Bae还指：“考虑到包括PPA（功率性能区域）和IP在内的各种好处，三星基于EUV的先进节点预计将对5G、人工智能、高性能计算（HPC）等新型创新应用有很高的需求，利用我们强大的技术竞争力，包括我们在EUV光刻技术方面的领导地位，三星将继续为客户提供最先进的技术和解决方案。”

　　三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外，三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线，该生产线预计将在2019年下半年完成，并从明年开始增产。

　　值得一提的是，三星在10nm节点以下的唯一对手台积电在本月初已经宣布，其5nm工艺顺利进入试产阶段，相比之下三星的脚步还是慢了一拍，但是俗话说好饭不怕晚，二者之间孰好孰坏还需要等到量产之后才能见真章了。