在动态随机存取内存（DRAM）工艺陆续进入1X及1Y工艺领域之后，全球 DRAM 龙头韩国三星21日宣布，首次业界开发第3代10 纳米等级（1Z纳米工艺）8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米工艺 DRAM 之后，经历 16 个月，再开发出更先进工艺的 DRAM 产品。

　　据了解，新一代 1Z 纳米工艺 DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机（EUV）的情况下打造，这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限，并拉高竞争对手的生产门坎。随着 1Z 纳米工艺产品问世，并成为业界最小的内存生产节点，目前三星已准备好用新的 1Z 纳米工艺 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求，生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

　　三星表示，1Z 纳米工艺 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年，以因应下一代企业服务器需求，并有望能在 2020 年支持新高阶个人计算机。除了提供市场需求，三星还指出，跨入 1Z 纳米工艺的 DRAM 生产，将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米工艺产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。

　　另市场消息指出，与一家CPU制造商就8GB DDR4模块全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将面世的内存解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要内存生产比重。