kaiyun官方注册
您所在的位置: 首页> 模拟设计> 业界动态> 业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

2019-03-08
关键词: MOSFET EPC GaNFET

  在3月20日-3月22日的慕尼黑上海电子展上,将展示在性价比上大幅超越硅器件的全新氮化镓功率晶体管。其中最引人注意的,无疑当属来自于宜普电源转换公司(EPC)的0.9x0.9mm业界最小尺寸GaN FET。该产品将在世强元件电商展台独家展出。

  作为首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,EPC的这款超小体积的eGaN FET,其Vds为100V,Rds(on)=73mΩ,Ciss=75pF、Coss=50pF,可以保证较高的开关转换效率,低损耗,而且具有高可靠性,可以使整体的系统成本更低且易于使用。

  除了业界最小尺寸的GaN FET,本届慕尼黑上海电子展,世强元件电商展位还将展示包括尺寸只有3.3*3.3*2.75mm的超小型且已填充凝胶的防水压力传感器、零功耗非接触式磁感应干簧传感器、业界系统成本最低的单芯片汽车氛围灯方案等等内容。可以说,全方位覆盖物联网、功率器件、汽车电子、智能工业、微波通信、材料、阻容感、测试测量、结构件等各个领域的最新产品及其应用方案。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map