0 引言

在射频前端模块中，射频开关在信号切换中发挥关键作用。绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator，SOI)工艺因其与传统CMOS工艺兼容，具备与LNA(Low Noise Amplifier)等器件集成的潜力，近年来取得长足发展^[1]。因其性价比更好，在射频开关市场，SOI基本取代了GaAs^[2]。SOI晶圆因其引入埋氧层，富陷阱层和高电阻率衬底，极大改善了射频开关的性能^[3]。在射频开关工艺领域，IBM、Globalfoundries、STMicro、Towerjazz取得了很好的进展^[2，4-8]，主要关注开关参数优值的提高，击穿电压的提高及谐波能力的改善。国内基于SOI也报道了SPDT、SP8T的相关实验结果^[9-11]，MEMS开关技术及进展^[12-13]。然而，着重比较不同设计参数对射频开关结构小信号的影响鲜有报道。

1 实验设计

射频开关结构设计最主要的是串联支路，晶体管的导通电阻主要影响射频开关的插入损耗；并联支路起辅助作用，提高隔离度的作用相当明显。射频开关传输的较高功率射频信号，需要在晶体管的栅极、体区增加直流偏置电阻，减小射频信号的泄漏。一般地，源漏之间也会增加直流偏置电阻，使级联的晶体管处于一致的偏置状态。为研究单级宽度和级联数目对串联支路和并联支路的影响，设计了相关测试结构，如表1所示。将单个串联支路和单个并联支路组合起来，形成单刀单掷电路结构。两者的栅极电压和体区电压采用互补的偏置。偏置电压条件如表2所示。单刀双掷结构是将两个单刀单掷结构组合起来，加载偏置电压状态类似。串联支路、并联支路、单刀单掷以及单刀双掷的电路结构如图1所示。

工艺平台基于0.2 μm SOI RF工艺，选用的SOI晶圆具有高阻衬底和陷阱层，减小衬底损耗，能够改善射频开关的小信号性能。所采用的工艺步骤基本与体硅工艺兼容。该工艺平台的射频开关品质因子为143 fs，选用的栅极长度Length为0.2 μm，实验选取频率为900 MHz。本文主要基于已经过验证的PSP SOI RF模型仿真结果进行分析讨论。如图2所示，模型验证结构选用串联支路，Width=2 mm, Stack=8, 各偏置电阻均为50 kΩ，ON和OFF偏置电压如图2所示。从图中可以看出，导通状态时的插入损耗和关断状态的隔离度在频率范围为0~5 GHz内，测试数据与模型吻合较好。

2 结果分析及讨论

2.1 单级宽度对小信号的影响

图3为不同单级宽度对串联支路插入损耗和隔离度的影响。结构所采用级联数目为12级。从图3(a)中可以看出，当单级宽度增大时，插入损耗将减小(绝对值)。单级宽度为0.5 mm时，插入损耗为-1.292 dB；当宽度增大到3 mm时，插入损耗为-0.313 3 dB。插入损耗对单级宽度变化敏感。可以理解为晶体管宽度增大时，该支路的等效电阻值变小，对射频信号的阻挡作用减弱，射频信号更易从一个射频端口传输到另一个射频端口。当然，较大的单级宽度，意味着射频开关占用较大面积。从图3(b)中可以看出，当单级宽度增大时，隔离度将减小(绝对值)。单级宽度为0.5 mm时，隔离度为-46.41 dB；当宽度增大到3 mm时，隔离度为-28.45 dB。隔离度对单级宽度变化敏感。可以理解为晶体管宽度增大时，该支路的等效电容变大，对射频信号的阻挡作用减弱，信号更易从一个射频端口泄漏到另一个射频端口。为减小信号泄漏，串联支路需要采用较小的单级宽度。实际应用中，插入损耗的性能需要首先考虑，串联支路当采用较大宽度；可以通过并联支路的引入，达到改善隔离度的目的。

2.2 级联数目对小信号的影响

射频开关传输功率一般较大，需要承受较高的电压，一般会采用级联的结构。图4所示为不同级联数目对串联支路插入损耗和隔离度的影响。结构所采用单级宽度为2 mm。从图4(a)中可以看出，当级联数目增大时，插入损耗将越大(绝对值)。级联数目为6时，插入损耗为-0.208 8 dB；当级联数目为16时，插入损耗为-0.554 dB。插入损耗对级联数目变化敏感。当级联数目增加时，该支路的等效电阻值变大，对射频信号的阻挡作用变大，射频信号更难从一个射频端口传输到另一个射频端口。而关断状态时，如图4(b)中可以看出，当级联数目增加时，隔离度将增大(绝对值)。级联数目为6时，隔离度为-25.82 dB；当级联数目为16时，隔离度为-34.98 dB。隔离度对级联数目变化敏感。当晶体管处于关断状态时，等效成关断电容。当增加级联数目时，相当于多串联了电容进入信号通路，等效电容变小，对射频信号的阻碍作用变大，隔离度将变得更好。

2.3 偏置电阻对小信号的影响

射频开关作为信号切换元件，需要通过偏置电压来实现导通和关断。因为传输的是高频信号，应放置偏置电阻防止信号泄漏。图5 所示为栅极、体区和源漏之间偏置电阻对串联支路插入损耗和隔离度的影响。结构所采用单级宽度为2 mm，级联数目为12级。如图5(a)所示，偏置电阻越大，串联结构的插入损耗越小(绝对值)。偏置电阻越大，对射频信号的隔离能力越强，能够改善插入损耗，当偏置电阻为50 kΩ时，插入损耗的变化趋于饱和。实际设计中，该电阻一般在几十kΩ。如图5(b)所示，偏置电阻越大，串联结构的隔离度越小(绝对值)。偏置电阻越大，对射频信号的隔离能力越强，信号泄漏较少，隔离度变差。当偏置电阻为50 kΩ时，隔离度的变化也趋于饱和。实际应用中还需考虑开关速度，则偏置电阻不能过大。

2.4 偏置电压对小信号的影响

图6所示为偏置电压对串联支路插入损耗和隔离度的影响。结构所采用单级宽度为2 mm，级联数目为12级。如图6(a)所示，当栅极电压Vg为0 V时，晶体管基本没有开启，插入损耗为-29.59 dB。当Vg高于1 V时，插入损耗的变化较小。开启状态，一般偏置电压为+VDD，使得晶体管充分开启，甚至可以加载一定的过驱动电压。如图6(b)所示，关断状态时，需要在栅极和体区同时加载-VDD，使得晶体管处于完全关断状态，体区的负偏压能够减小器件源区/漏区和体区之间的结电容，从而减小关态电容，有效提高隔离度。Vg和Vb同时加载负电压对隔离度的影响比单独加载Vg或Vb负电压时的大。实际应用中，可以通过偏置电路实现栅极电压Vg和体区电压Vb的同步变化。

2.5 不同结构小信号性能

图7所示为串联支路(Series)、并联支路(Shunt)、单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)电路结构的插入损耗和隔离度。串联支路(Series)单级宽度为2 mm，级联数目为12级；并联支路(Shunt)单级宽度为0.5 mm，级联数目为12级。结构选取电阻为50 kΩ，电压偏置按表2加载，VDD=2.5 V。图7(a)为不同结构的插入损耗。从图中可以看出，串联支路的插入损耗为-0.416 3 dB。单刀单掷结构的插入损耗为-0.442 7 dB，这主要是由于并联支路的引入。虽然并联支路处于关断状态，但是还是会泄漏掉部分射频信号，所以单刀单掷结构的插入损耗会退化0.026 4 dB。同理，对于单刀双掷结构，由于引入了更多的信号泄漏路径，插入损耗为-0.477 8 dB，较单刀单掷结构退化了0.035 1 dB。图7(b)所示为不同结构的隔离度。从图中可以看出，串联支路的隔离度为-32.08 dB。单刀单掷结构的隔离度为-44.99 dB，这主要是由于并联支路的引入。并联支路作为辅助部分，在串联支路关断时，并联支路是导通的。从串联支路泄漏过来的信号会经并联支路泄漏到地，所以单刀单掷结构的隔离度会改善12.91 dB。同理，对于单刀双掷结构，由于引入了更多的信号泄漏路径，隔离度为-51.42 dB，较单刀单掷结构改善了19.34 dB。由此可见，并联支路的引入，将明显改善射频开关的隔离度。并联支路的引入只是较小程度使得插入损耗退化。在实际设计中，普遍采用增加并联支路的结构。

3 结论

本文通过设计串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷电路结构分析了设计参数对射频开关小信号的影响。当单级宽度增大时，插入损耗(绝对值)将越小，隔离度(绝对值)将越小；当级联数目增大时，插入损耗(绝对值)将越大，隔离度(绝对值)将越大；偏置电阻越大，串联结构的插入损耗(绝对值)越小，隔离度(绝对值)越小，在50 kΩ接近饱和；导通时，应在栅极加载+VDD，使得晶体管充分开启，关断状态时，需要在栅极和体区同时加载-VDD，使得晶体管处于完全关断状态；比较分析了串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷电路结构的插入损耗和隔离度，指出增加并联支路的结构的重要性。

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作者信息:

莘海维，刘张李

(上海华虹宏力开云棋牌官网在线客服制造有限公司，上海201203)