台积电：7nm率先量产 规划5nm及3nm工艺

台积电7nm制程芯片已开始量产，同时5nm制程将会在2019年年底或2020年年初投入量产。本月7日，AMD的7纳米制程CPU及GPU正式发布，正是由台积电代工。之前苹果的A12及华为海思麒麟980处理器，也都是由台积电的7纳米制程所生产。预计在今年年底之前，用上台积电7nm工艺制程的芯片将会超过50款。可以说在7nm制程上，台积电比三星、英特尔都要抢先一步。不仅如此，台积电还规划了5nm以及3nm工艺，其中5nm工艺投资计划超过250亿美元，预计2019年试产，2020年量产，而3nm工艺计划投资约为200亿美元，2020年开始建厂，2021年完成设备安装，预计2022年底到2023年初量产。

三星：激进派的代表 7nm EUV一步到位

作为芯片代工行业的后来者，三星是“全球IBM制造技术联盟”中激进派的代表，早早就宣布了7nm时代将采用EUV。今年4月，三星刚刚宣布已经完成了7nm新工艺的研发，并成功试产了7nm EUV晶元，比原进度提早了半年。在2018年年会上，三星官方宣称高通骁龙5G SoC采用的正是三星7nm LPP工艺，同时表示，基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层）。 三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP，计划2019年风险试产。不过到了3nm时代，芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些时候试产。

英特尔：拒绝投机取巧 追求真正的7nm

在英特尔看来，在一个固定的芯片面积上，能够塞进更多的晶体管，则意味着拥有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工艺制程。在英特尔看来，竞争对手台积电、三星只是钻了工艺命名的空子，未免有投机取巧之嫌。 根据官方数据，台积电 7nm的逻辑电路密度只达到前一代 10nm制程的 1.6 倍。而英特尔希望满足最严苛的摩尔定律，大幅缩小晶体管体积的同时，还在制程导入全新材料，希望一步到位，实现真正的7nm。虽然因为追求过高的原因，英特尔的10nm工艺多次延期，但一旦英特尔度过难关，因为已经过导入新材料的学习曲期，下一代产品仍有可能反败为胜。

EUV光刻成竞争焦点

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