EUV被认为是推动开云棋牌官网在线客服产业制造更小芯片的重要里程碑，但是根据目前的EUV微影技术发展进程来看，10奈米（nm）和7nm制程节点已经准备就绪，就是5nm仍存在很大的挑战。

　　EUV微影技术将在未来几年内导入10奈米（nm）和7nm制程节点。 不过，根据日前在美国加州举办的ISS 2018上所发布的分析显示，实现5nm芯片所需的光阻剂仍存在挑战。

　　极紫外光（extreme ultraviolet;EUV）微影技术将在未来几年内导入10奈米（nm）和7nm制程节点。 不过，根据日前在美国加州举办的年度产业策略研讨会（Industry Strategy Symposium;ISS 2018）所发布的分析显示，实现5nm芯片所需的光阻剂（photoresist）仍存在挑战。

　　同时，EUV制造商ASML宣布去年出货了10台EUV系统，今年将再出货20至22台。 该系统将拥有或至少可支持每小时生产125片晶圆所需的250W雷射光源。

　　IC Knowledge总裁Scotten Jones表示：「在7nm采用EUV的主要部份已经到位，但对于5nm来说，光阻剂的缺陷仍然高出一个数量级。 」

　　经过20多年的发展，新的和昂贵的系统均有助于为下一代芯片提供所需的优质特性，并缩短制造时间。 Scotten说，这些系统将首先用于制造微处理器等逻辑芯片，随后再应用于DRAM，但现今的3D NAND闪存芯片已经不适用了。

　　「EUV大幅减少了开发周期以及边缘定位的误差。。.，但成本降低的不多，至少一开始时并不明显。 此外，还有其他很多的好处，即使没什么成本优势，它仍然具有价值。 」

　　Jones预计，ASML将在2019-2020年之间再出货70台系统。 这将足以支持在Globalfoundries、英特尔（Intel）、三星（Samsung）和台积电（TSMC）规划中的生产节点。

　　除了EUV系统本身，其他重要的挑战还包括薄膜、光罩测试仪和抗蚀剂

　　Jones表示，ASML计划将系统的正常运行时间从现在的75%提高到90%，这同时也是微影技术业者最关切的问题。 此外，他表示相信该公司将会及时发布所需的薄膜，以保护EUV晶圆避免微尘的污染。

　　为了开发针对5nm可用的抗蚀剂，「我们有12到18个月的时间来进行重大改善。 业界将在明年产出大量晶圆，这将有所帮助。 」Jones并估计，到2019年晶圆厂将生产近100万片EUV晶圆，到了2021年更将高达340万片晶圆。

　　ASML的目标是在2020年时，将其250W光源所能达到的每小时145片晶圆的吞吐量提高到155片/时。 ASML企业策略和营销副总裁Peter Jenkins在ISS上指出，该公司已经展示实验室可行的375W光源了。

　　目前该公司的薄膜已经能通过83%的光线了，至今也以245W光源进行超过7，000次的晶圆曝光测试了。 然而，第二代7nm节点在搭配用于250W或更高的光源时，预计还需要一个传输率达到90%的薄膜。