这两年为三星开云棋牌官网在线客服业务立功最大的是存储芯片部门，贡献的营收、利润达到七八成，而三星的晶圆代工业务虽然有高通这样的VIP客户，但在7nm节点上高通会转投回台积电，三星要想拉拢到更多的客户，只能从工艺技术上着手了。这也是三星为什么跳过非EUV工艺的7nm工艺，直接上7nm LPP EUV工艺的原因，如今他们的7nm LPP工艺已经完成了Synopsys的物理认证，意味着7nm EUV工艺全球首发了。

在几大开云棋牌官网在线客服公司中，英特尔的10nm还没搞定，7nm就更遥远了，台积电的7nm工艺（N7工艺）量产比较顺利，会有苹果、海思、高通、NVIDIA、AMD等客户陆续流片、量产，不过台积电的第一代7nm工艺还是传统的多重曝光工艺，2019年的N7 Plus工艺才会使用EUV光刻工艺。

Globalfoundries这边也是类似的路线，今年量产的7nm DUV还是传统的深紫外光刻工艺，此前号称频率可达5GHz，AMD的7nm Zen 2处理器会使用Globalfoundries的7nm工艺，明年初问世，2020年的再下一代才是7nm EUV工艺。

三星在EUV工艺上市最激进的，直接跳过了第一代非EUV光刻的7nm工艺，根据之前的路线图，三星第一个使用EUV工艺的就是7nm LPP工艺，预定今年下半年量产。日前Synopsys与三星联合宣布已经使用后者的7nm LPP工艺完成了IC验证器的认证工作。

这次认证完成之后，三星的7nm LPP工艺可以立即提供认证的运行库，包括DRC设计规则检查、LVS布局与原理图、金属填充技术文件等等，这也意味着三星的7nm LPP工艺走入了正轨。

根据之前的消息，ASML的EUV光刻机中，台积电订购了大约10台，三星订购了大约6台，英特尔订购了3台，Globalfoundries的EUV订单数量不详，国内的中芯国际也订购了1台EUV光刻机用于7nm工艺研究，明年初交货。

三星更新技术路线图：7nm 2019年规模量产、新增8nm LPU

日前，三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会，更新了技术路线图。

简单来说，主要有三点，一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层），二是导入8nm LPU工艺，三是重申，围绕3nm节点，将引入闸极全环场效晶体管（Gate-all-aroundFET，GAAFET），来取代FinFET（鳍式场效应晶体管）。

三星晶圆厂分布

关于第一点，三星称已经在韩国华城的S3工厂配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机，投资6万亿韩元的新EUV产线预计2019年竣工，2020年扩大生产规模。

目前，官宣采用三星7nm LPP工艺的是高通骁龙5G SoC。

关于第二点，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP减少10%的芯片面积和10%的功耗，看起来LPU将进一步在功耗、面积上做文章。

由于三星7nm LPP补充产能需要等到2020年，此间就是8nm在市场大展拳脚的契机。按照ZDNet的说法，高通也是三星8nm的客户。

至于第三点，三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP，计划2019年风险试产。不过到了3nm时代，芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些时候试产。

另外，三星还表示，2019年，单芯片封装技术3D SiP将准备就绪。