意法开云棋牌官网在线客服(STMicroelectronics，简称ST)和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法开云棋牌官网在线客服能够满足高能效、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。

　　本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS认为，该市场将在2019年至2024[1]年有超过20%的复合年增长率。意法开云棋牌官网在线客服和Leti利用IRT纳电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发工艺技术，预计在2019年完成工程样品的验证。同时，意法开云棋牌官网在线客服还将建立一条高品质生产线，包括GaN / 硅异质外延工序，计划2020年前在法国图尔前工序晶圆厂进行首次生产。

　　此外，鉴于硅基氮化镓技术对功率产品的吸引力，Leti和意法开云棋牌官网在线客服正在评测高密度电源模块所需的先进封装技术。

　　意法开云棋牌官网在线客服汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示：“在认识到宽带隙开云棋牌官网在线客服令人难以置信的价值后，意法开云棋牌官网在线客服与CEA-Leti开始合作研发硅基氮化镓功率器件制造和封装技术。ST拥有经过市场检验的生产可靠的高质量产品的制造能力，此次合作之后，我们将进一步拥有业界最完整的GaN和SiC产品和功能组合。”

　　Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的团队利用Leti的200mm通用平台全力支持意法开云棋牌官网在线客服的硅基氮化镓功率产品的战略规划，并准备将该技术迁移到意法开云棋牌官网在线客服图尔工厂硅基氮化镓专用生产线。这个合作开发项目需要双方团队的共同努力，利用IRT纳电子研究所的框架计划来扩大所需的专业知识，在设备和系统层面从头开始创新。”

　　编者注：

　　相较于采用硅等传统开云棋牌官网在线客服材料的器件，更高的工作电压、频率和温度是宽带隙开云棋牌官网在线客服材料GaN制成的器件的固有优势。除功率氮化镓技术外，意法开云棋牌官网在线客服还在开发另外两种宽带隙技术：碳化硅(SiC)和射频氮化镓(GaN)。

　　在GaN领域除了与CEA-Leti合作外，意法开云棋牌官网在线客服不久前还宣布了与MACOM合作开发射频硅基氮化镓技术，用于MACOM的各种射频产品和和意法开云棋牌官网在线客服为非电信市场研制的产品。两个研发项目都使用GaN，很容易引起混淆，但是，这两种研发项目使用结构不同的方法，应用优势也不同。例如，功率硅基氮化镓技术适合在200mm晶片上制造，而射频硅基氮化镓目前至少更适合在150mm晶片上制造。无论哪种方式，因为开关损耗低，GaN技术都适用于制造更高频率的产品。

　　另一方面，碳化硅器件的工作电压更高，阻断电压超过1700V，雪崩电压额定值超过1800V，通态电阻低，使其非常适用于能效和热性能出色的产品。凭借这些特性，SiC非常适合电动汽车、太阳能逆变器和焊接设备等应用。