一种高线性调整率无电容型LDO的设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

一种高线性调整率无电容型LDO的设计
所属分类：技术论文
上传者：aet
文档大小：529 K

所需积分：0分积分不够怎么办？
文档介绍：提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器，通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性；带隙基准源（BGR）采用了线性化VBE技术进行高阶补偿，可以获得温度稳定性更好的BGR，降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺（其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V），整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示：在2.5 V~5.5 V电源供电下，LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V，负载调整率小于1.56 mV/mA；在正常工作模式下，整个LDO消耗56μA静态电流（其中测试用的放大器消耗电流约18 μA）。
现在下载
VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。

活动