1.9GHz 低电压低功耗 CMOS 射频低噪声放大器的设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

1.9GHz 低电压低功耗 CMOS 射频低噪声放大器的设计
所属分类：技术论文
上传者：aet
文档大小：306 K

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文档介绍：针对1.9 GHz PHS和DECT无线接入系统的应用，提出了一种可工作于0.9 V低电压的CMOS射频低噪声放大器，并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析。该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器，利用晶体管线性补偿技术，实现了低压低功耗下的高线性度。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺模型设计与验证。
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