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中国存储三大阵营相继试产,两年后或取得全球产业话语权

2018-07-23
关键词: 中国存储 NandFlash DRAM

  今年下半年,随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段,中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为,国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图,但或将对全球存储市场价格走势造成影响。

  而随着中美贸易局势的紧张,以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查,中国存储产业的发展也愈发受到关注。

  目前,中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫,以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。

  近期传出合肥长鑫投产8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片,被视为我国DRAM产业的里程碑。尽管相关讯息尚未获得官方确认,但在今年四月的一次公开活动上,合肥长鑫CEO王宁国表示,计划将于今年年底前推出8GB DDR4工程样品,2019年Q3正式推出8GB LPDDR4,当年年底达到2万片的月产能。

  从目前三家厂商的进度看,其试产时间预计将在2018年下半年,量产时间可能会集中在2019年上半年。有台湾媒体分析称,2019年量产进度能否顺利推动,将成为我国存储产业能否站上世界舞台的重要标志。

  业界认为,我国发展DRAM技术的挑战性较高,随着量产时点的临近,专利纠纷或国际诉讼甚至竞争对手的干扰也将伴随而来。此前,美光已经通过采取限制供应商供货的行为对晋华进行打压,双方互诉也在进行之中。

  来自台湾的分析人士指出,紫光集团旗下的长江存储发展情势较为乐观,已获得首笔超过1万颗的晶片订单,但32层3D NAND Flash量产规模仍有限,单月仅约5,000片,长江存储的研发重点将集中于64层3D NAND Flash,目标2018年底前推出第一个产品样本。

  长江存储在64层3D NAND制程开发完成后,可望展开大规模投片计划,预计2020年产能快速推进至单月10万片,未来长江存储旗下3座厂房将可达到单月35万~40万片产能,届时市占率有机会挑战10%。

  另有分析人士指出,合肥长鑫宣称目标在于19纳米的DRAM内存,初期产品良率目标为不低于10%,这意味着从初期试产进入稳定量产还有漫漫长路,加上合肥长鑫发展的DDR4移动式内存为市场主流,未来恐难逃大厂专利的钳制。

  该人士表示,国内存储厂商量产初期的规模虽难撼动三大龙头厂商的地位,但短期内将对市场价格造成冲击,如果发展顺利,预计2020~2021年起,中国存储产业将开始取得全球产业话语权。


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