今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。

　　而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。

　　目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。

　　近期传出合肥长鑫投产8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片，被视为我国DRAM产业的里程碑。尽管相关讯息尚未获得官方确认，但在今年四月的一次公开活动上，合肥长鑫CEO王宁国表示，计划将于今年年底前推出8GB DDR4工程样品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4，当年年底达到2万片的月产能。

　　从目前三家厂商的进度看，其试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能会集中在2019年上半年。有台湾媒体分析称，2019年量产进度能否顺利推动，将成为我国存储产业能否站上世界舞台的重要标志。

　　业界认为，我国发展DRAM技术的挑战性较高，随着量产时点的临近，专利纠纷或国际诉讼甚至竞争对手的干扰也将伴随而来。此前，美光已经通过采取限制供应商供货的行为对晋华进行打压，双方互诉也在进行之中。

　　来自台湾的分析人士指出，紫光集团旗下的长江存储发展情势较为乐观，已获得首笔超过1万颗的晶片订单，但32层3D NAND Flash量产规模仍有限，单月仅约5,000片，长江存储的研发重点将集中于64层3D NAND Flash，目标2018年底前推出第一个产品样本。

　　长江存储在64层3D NAND制程开发完成后，可望展开大规模投片计划，预计2020年产能快速推进至单月10万片，未来长江存储旗下3座厂房将可达到单月35万~40万片产能，届时市占率有机会挑战10%。

　　另有分析人士指出，合肥长鑫宣称目标在于19纳米的DRAM内存，初期产品良率目标为不低于10%，这意味着从初期试产进入稳定量产还有漫漫长路，加上合肥长鑫发展的DDR4移动式内存为市场主流，未来恐难逃大厂专利的钳制。

　　该人士表示，国内存储厂商量产初期的规模虽难撼动三大龙头厂商的地位，但短期内将对市场价格造成冲击，如果发展顺利，预计2020~2021年起，中国存储产业将开始取得全球产业话语权。