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DRAM价格同比暴涨47%,手机厂商都开始退缩了

2018-03-15
关键词: DRAM 智能手机

  根据市调机构IC Insights最新研究显示,在1978年至2012年的34年间,DRAM每位元(bit)价格平均每年下跌33%。然而,从2012年到2017年,DRAM平均每位元价格下跌仅为每年3%。此外,2017年全年DRAM价格涨幅达到47%,是自1978年以来最大的年度涨幅,超过了1988年30年前的45%涨幅。

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  在2017年,DRAM位元成长率为20%,2018年,三大DRAM制造商(如三星、SK海力士和美光)均表示他们预计DRAM位元数成长再次达到20%左右。但是,如图所示,2017年5月至2018年1月的9个月期间,DRAM每月的同比成长率仅为13%。

  另外,从2017年1月到2018年1月的DRAM每月每千颗价格。DRAM每Gb价格一直在急剧上升,2017年1月与2018年1月相较,价格上涨47%。毫无疑问,电子系统制造商目前正在争先恐后地调整和适应DRAM价格的飞涨。

  虽然难以精确衡量,但IC Insights认为,DRAM位元数的使用量也受到价格上涨的影响,增加的成本抑制了需求,降低成本扩大了使用范围并开辟了新的应用。从2017年1月到2018年1月,DRAM每位元价格与同期相较成长量之间的相关系数为-0.88,这两个因素完全相反:将是-1.0。因此,虽然系统制造商并未缩减目前出货的系统中的DRAM使用量,但有传言称,一些智慧手机厂商在接下来推出的新产品中将降低DRAM的容量。

  与之相对应的产量方面,增长却十分缓慢。观察人士称,主要是DRAM也进入10nm级别的制程,良率的提高不像以前那么快了。

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  谁是涨价潮大赢家?

  若单就DRAM 来看,从记忆体调研DRAMeXchange 数据观察,三星单计DRAM 营收约76 亿美元,季增20.7%,SK 海力士DRAM 营收金额则在45 亿美元,季成长幅度约11.2% ,若以营收占比来换算的话,DRAM 三星、SK 海力士两大韩厂就囊括了73.5% 的市占。美光第二季营收36 亿美元,季增20.2%,市占21.6%,三大厂加起来市占就高达95.1%,基本上观察三大厂商就能看出整体DRAM 产业的态势。

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  调研最新预测,预估2018年DRAM产业的供给年成长率为19.6%,维持在近年来的低点,然而从需求端来看,智慧型手机记忆体容量持续升级,以及伺服器/资料中心的强劲需求,预估2018年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%,吃紧态势将延续。接下来这几大记忆体厂商能否赚得钵满盆满,除了视记忆体供需外,各家先进制程转进进度、良率以及产能利用率也是重点。从笔者搜集到的资讯来看:

  三星仍是技术力最强的公司,目前主力制程为18纳米其良率早已超过85%,预计今年在三星内部占比将接近五成,明年往七成的比重迈进。从三星以往一个制程进入成熟阶段后,会在一年内将其比重拉到八成的往例来看,三星在18纳米制程刻意放慢脚步,除了竞争对手跟三星相比依旧有段差距外,借此减缓资本支出,也是维持获利的一种手段。三星每月平均投片量约390K,目前产能增加的空间已相当有限,仅有Line17以及部分Line15空间可以增加产能,最多多出约50K~70K的空间供DRAM生产之用。在新厂计划方面,三星属意于平泽兴建第二座12吋厂,此工厂将会以DRAM为主力产品,不过厂房兴建及量产时程仍在研拟阶段。

  SK 海力士目前的制程以21纳米制程为主,预计今年年底占比约七成,其余都是25纳米制程,今年受限于工厂空间不足的关系,21纳米制程已无再提升比重的计划,今年年底SK海力士将首度迈进20纳米制程以下的领域,18纳米制程将进入量产阶段,也预计2018年将会用18纳米制程扩大产出量与占比。然而像M10厂由于工厂较旧,转进18纳米制程将产生较大的晶圆损失(Wafer Lost),也因此部分产能已经转去代工领域会比较符合经济效益,整体而言,最多M14厂还有20K DRAM产能可供利用,SK海力士也决议在无锡兴建第二座12吋厂,但预计最快开出产能时间将落在2019年。

  而美光集团,今年致力于17纳米制程的转进,但从晶圆的产出颗粒来看,其17纳米制程仅等同于三星20纳米制程,故技术力来看算是目前三大DRAM厂较为落后的公司,根据目前的规画,台湾美光记忆体(原瑞晶)至今年年底将有90%投片都是17纳米制程,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)在明年也会有50%的投片都是17纳米制程。

  在产能上基本上也都已满载,唯一还有剩余空间可以利用的只有台湾美光记忆体(原瑞晶)的A2厂区,此场区虽然因为17纳米制程的转进,已经有部分机台进驻,但评估仍有60%~70%的空间可供利用,可提升产能预估约在30K~40K,而美光看来还未有兴建新工厂的计划。


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