根据市调机构IC Insights最新研究显示，在1978年至2012年的34年间，DRAM每位元(bit)价格平均每年下跌33%。然而，从2012年到2017年，DRAM平均每位元价格下跌仅为每年3%。此外，2017年全年DRAM价格涨幅达到47%，是自1978年以来最大的年度涨幅，超过了1988年30年前的45%涨幅。

　　在2017年，DRAM位元成长率为20%，2018年，三大DRAM制造商(如三星、SK海力士和美光)均表示他们预计DRAM位元数成长再次达到20%左右。但是，如图所示，2017年5月至2018年1月的9个月期间，DRAM每月的同比成长率仅为13%。

　　另外，从2017年1月到2018年1月的DRAM每月每千颗价格。DRAM每Gb价格一直在急剧上升，2017年1月与2018年1月相较，价格上涨47%。毫无疑问，电子系统制造商目前正在争先恐后地调整和适应DRAM价格的飞涨。

　　虽然难以精确衡量，但IC Insights认为，DRAM位元数的使用量也受到价格上涨的影响，增加的成本抑制了需求，降低成本扩大了使用范围并开辟了新的应用。从2017年1月到2018年1月，DRAM每位元价格与同期相较成长量之间的相关系数为-0.88，这两个因素完全相反：将是-1.0。因此，虽然系统制造商并未缩减目前出货的系统中的DRAM使用量，但有传言称，一些智慧手机厂商在接下来推出的新产品中将降低DRAM的容量。

　　与之相对应的产量方面，增长却十分缓慢。观察人士称，主要是DRAM也进入10nm级别的制程，良率的提高不像以前那么快了。

　　谁是涨价潮大赢家？

　　若单就DRAM 来看，从记忆体调研DRAMeXchange 数据观察，三星单计DRAM 营收约76 亿美元，季增20.7%，SK 海力士DRAM 营收金额则在45 亿美元，季成长幅度约11.2% ，若以营收占比来换算的话，DRAM 三星、SK 海力士两大韩厂就囊括了73.5% 的市占。美光第二季营收36 亿美元，季增20.2%，市占21.6%，三大厂加起来市占就高达95.1%，基本上观察三大厂商就能看出整体DRAM 产业的态势。

　　调研最新预测，预估2018年DRAM产业的供给年成长率为19.6%，维持在近年来的低点，然而从需求端来看，智慧型手机记忆体容量持续升级，以及伺服器／资料中心的强劲需求，预估2018年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%，吃紧态势将延续。接下来这几大记忆体厂商能否赚得钵满盆满，除了视记忆体供需外，各家先进制程转进进度、良率以及产能利用率也是重点。从笔者搜集到的资讯来看：

　　三星仍是技术力最强的公司，目前主力制程为18纳米其良率早已超过85%，预计今年在三星内部占比将接近五成，明年往七成的比重迈进。从三星以往一个制程进入成熟阶段后，会在一年内将其比重拉到八成的往例来看，三星在18纳米制程刻意放慢脚步，除了竞争对手跟三星相比依旧有段差距外，借此减缓资本支出，也是维持获利的一种手段。三星每月平均投片量约390K，目前产能增加的空间已相当有限，仅有Line17以及部分Line15空间可以增加产能，最多多出约50K~70K的空间供DRAM生产之用。在新厂计划方面，三星属意于平泽兴建第二座12吋厂，此工厂将会以DRAM为主力产品，不过厂房兴建及量产时程仍在研拟阶段。

　　SK 海力士目前的制程以21纳米制程为主，预计今年年底占比约七成，其余都是25纳米制程，今年受限于工厂空间不足的关系，21纳米制程已无再提升比重的计划，今年年底SK海力士将首度迈进20纳米制程以下的领域，18纳米制程将进入量产阶段，也预计2018年将会用18纳米制程扩大产出量与占比。然而像M10厂由于工厂较旧，转进18纳米制程将产生较大的晶圆损失（Wafer Lost），也因此部分产能已经转去代工领域会比较符合经济效益，整体而言，最多M14厂还有20K DRAM产能可供利用，SK海力士也决议在无锡兴建第二座12吋厂，但预计最快开出产能时间将落在2019年。

　　而美光集团，今年致力于17纳米制程的转进，但从晶圆的产出颗粒来看，其17纳米制程仅等同于三星20纳米制程，故技术力来看算是目前三大DRAM厂较为落后的公司，根据目前的规画，台湾美光记忆体（原瑞晶）至今年年底将有90%投片都是17纳米制程，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）在明年也会有50%的投片都是17纳米制程。

　　在产能上基本上也都已满载，唯一还有剩余空间可以利用的只有台湾美光记忆体（原瑞晶）的A2厂区，此场区虽然因为17纳米制程的转进，已经有部分机台进驻，但评估仍有60%~70%的空间可供利用，可提升产能预估约在30K~40K，而美光看来还未有兴建新工厂的计划。