2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel／美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂（Fab7），地点就在日本的四日市（Yokkaichi）。

事实上，目前东芝的第 6 座工厂（Fab 6）正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过，面对市场的强烈需求，东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此，东芝在 21 日宣布，将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建，选址就位于日本四日市。 日前，东芝才就出售开云棋牌官网在线客服业务一事已经和威腾电子握手言和，达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供，以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产，以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。

报导进一步指出，目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求，已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且，其他 NAND Flash 闪存供货商，包括了三星与 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或开始新厂建造计划。

目前，东芝主要以生产 64 层堆栈的V-NAND闪存为主，未来计划在下一步升级到 94 层 V-NAND 闪存生产。 而除了 TLC 规格之外，也将还会有特别的 QLC 规格产品，目的就是为了加强产品的渗透力以提升市场竞争力。

而对于将兴建 Fab7 厂，东芝预计在 2018 年 2 月完成新厂的土地的收购作业，同时会下单建筑材料和基础设备。 据了解，东芝还将根据市场趋势，成立东芝储存岩手县公司，以管理工厂的建设和运营。 整体厂房兴建计划将在 2018 年底前完成，2019 年之后逐步安装设备，并且在年底前开始生产。