随着全球信息化浪潮的不断涌起，智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下，其上游存储器芯片产业再遇爆发期，作为生产、消费大国的中国，自然首当其冲，成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时，“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……

美日韩的垄断之势

在全球开云棋牌官网在线客服市场日益扩张的趋势下，芯片市场供不应求之势越发明显，这其中又以存储器市场为最。据统计，2016全球存储器市场容量约800亿美元左右，约占开云棋牌官网在线客服市场的23%，是仅次于逻辑电路的第二大产品。

以目前市场来看，存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元，NAND Flash约346亿美元。在DRAM方面，全球DRAM价格持续七个季度高涨，是历来涨势最久的一次，据业界人士预测，此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面，全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象，且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多，至此闪存市场供应得到缓解。

而在供应短缺以及高增长的背后，垄断之势也越发明显。据数据调查显示，仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝开云棋牌官网在线客服等五家美日韩开云棋牌官网在线客服企业，几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。

以三星电子为例，据业界人士预估，在三星今年260亿美元开云棋牌官网在线客服资金中，3D NAND Flash约为140亿美元，DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场，三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏，三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右，并且会加大3D NAND Flash技术研发的投入。而且，随着智能手机、人工智能以及物联网需求的增加，3D NAND Flash将得到长足发展。在这种趋势下，中国也开始了布局。

紫光国际“搅局” 破势而出

事实上，在全球存储器市场需求的不断驱动下，中国存储器市场的起色也很明显。为了打破美日韩企业的垄断之势，中国芯片企业并未放弃对开云棋牌官网在线客服的研究。而且随着开云棋牌官网在线客服制程技术的不断衍进，存储器芯片研发难度随之加大，加之3D NAND技术的出现，都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。

2016年，在三星电子、SK海力士、英特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3D NAND Flash的时候，国内存储器厂商才开始布局，错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作，投资建立“国产存储器基地”，建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房以供3D NAND Flash研发与生产。在这场全球3D NAND Flash市场之战中，紫光国际首先“举旗”，长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后，互相配合共同研发3D NAND Flash技术。

2017年11月中旬，长江存储已经成功研发出32层3D NAND Flash芯片，预计将于2018年实现量产。目前，紫光国际与长江存储已经在研究64层3D NAND Flash技术，预计将于2019年实现量产。

机遇与挑战并存

当然，弯道超车依旧困难重重。从国内存储器厂商的发展情况来看，主要面临的机遇有以下四点：

其一，全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势；

其二，智能手机、人工智能以及物联网等科技的不断发展，导致存储器芯片的需求也随之增加；

其三，全球存储器领先技术突破的趋势减缓，各项技术的不断成熟；

其四，国家政策的不断出台，政企联合之势扩大。

在机遇存在的同时，国内存储器厂商所面临的挑战也不可谓不小，主要体现在以下三方面：

其一，国内存储器技术人才匮乏，导致技术研发速度过慢；

其二，原材料价格的不断上涨，导致投入过高；

其三，存储器增长过快，产能过剩的风险随时将至。

小结：

从国内存储器市场的趋势来看，紫光国际以及长江存储已成为“搅局者”，于国内存储器产业而言，将是一把利剑，也是打破美日韩垄断国内存储器市场的希望。可以预料的是，随着国内3D NAND Flash技术的不断突破与成熟，加之DRAM产量的不断提升，未来与五大存储器巨头的差距将越来越小。