据三星电子于11月29日宣布，开始大规模量产以第2代10nmFinFET制程技术（10LPP）为基础的单芯片系统（SoC）产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年首季问市。

　　三星表示，针对低功耗产品所研发的10LPP技术，相较于第1代的10LPE，10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于该制程是延续于已经量产中的10LPE制程，所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此更具有市场竞争优势。

　　三星进一步表示，采用10LPP制程技术制造的产品，预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场行销副总裁RyanLee表示，通过从10LPE制程向10LPP制程的迈进，三星将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初期产量。

　　同时，三星宣布，位于韩国华城的最新S3生产线，目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。S3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂，其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴（Giheung）的S1，以及位于美国奥斯汀的S2。根据规划，三星的7纳米FinFET制程技术与EUV（ExtremeUltraViolet）技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。

　　IC Insights近日发布指出，三星今年在开云棋牌官网在线客服产业支出达到260亿美元，是去年支出的两倍还多，其中用于晶圆代工/其他的资本支出达50亿美元，专门用于提升10纳米制程能力。目前来看进展顺利，有消息称，三星 8nm LPP 制程工艺的技术验证工作也已完成，将于不久之后大规模量产。三星表示，相比于 10nm 制程，全新 8nm 制程的芯片不仅面积能缩减 10%，功耗也能降低10%。该工艺正式投产后，将会定位于高端旗舰市场。至于具体商用时间，三星表示会在随后于全球各地举行的三星开云棋牌官网在线客服论坛上与 7nm EUV 光刻工艺进展一同公布。