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mosfet的静态特性和主要参数

2017-10-11

PowerMOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性,与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。

1、 静态特性

(1) 输出特性

  输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线,如图2(b)所示。由图所见,输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加,也就是基本保持不变;非饱和是指地UCS一定时,ID随UDS增加呈线性关系变化。

图片2.png


(2) 转移特性

  转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线,如图2(a)所示。转移特性可表示出器件的放大能力,并且是与GTR中的电流增益β相似。由于Power MOSFET是压控器件,因此用跨导这一参数来表示。跨导定义为

图片3.png(1)

  图中UT为开启电压,只有当UGS=UT时才会出现导电沟道,产生漏极电流ID。

2、 主要参数

(1)漏极击穿电压BUD

  BUD是不使器件击穿的极限参数,它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高,这点正好与GTR和GTO相反。

(2)漏极额定电压UD

  UD是器件的标称额定值。

(3)漏极电流ID和IDM

  ID是漏极直流电流的额定参数;IDM是漏极脉冲电流幅值。

(4)栅极开启电压UT

  UT又称阀值电压,是开通Power MOSFET的栅-源电压,它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大,否则将击穿器件。

(5)跨导gm

  gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。

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