2017年6月30日，德国慕尼黑和纽伦堡讯—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。

　　在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。

　　英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用。不过，为了让这一新的开云棋牌官网在线客服技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解：这四大优势使我们成为功率开云棋牌官网在线客服市场的领导者。依托英飞凌碳化硅产品组合，我们希望并且能够达成这一目标。”

　　全新1200 V碳化硅MOSFET已进行优化，同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比1200V硅（Si）IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源（UPS）和充电/储电系统等应用。不久的将来推出的新型号，也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。

　　1200 V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的工作时间失效（FIT）率和有效的短路能力，可适应不同的应用。得益于4 V的阈值电压（Vth）和+15 V的推荐接通阈值（VGS）），这些晶体管能像IGBT一样得到控制，在发生故障时得以安全关闭。碳化硅MOSFET可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化EMC性能。

　　早在去年，英飞凌就已推出主导产品EASY 1B（半桥/Booster）以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin产品。EASY 1B平台十分成熟，是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌将展出基于1200 V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiC MOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括：

　　·采用B6（Six-Pack）拓扑的EASY 1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻（RDS(ON)）仅45 mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。该EASY 1B适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。

　　·采用半桥拓扑的EASY 2B：这个较大的EASY器件，其性能增强，每个开关的RDS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念是功率超过50 kW和快速开关应用的理想选择，比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。

　　·采用半桥拓扑的62 mm：附加的半桥配置，具备更大功率，每个开关功能的RDS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。由于有大量潜在应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。

　　供货

　　在2016年PCIM上推出的旗舰产品EASY 1B和两个分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin，今年将逐步开始批量生产。EASY 1B半桥配置现已开始供货。为支持其市场发布，英飞凌同步推出了多种驱动模块和演示板，这些模块和演示板也从现在起开始供货。新产品型号已开始提供样片，计划于2018年开始批量生产。了解更多信息敬请访问：www.infineon.com/coolSiC。