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根据致力于规划新版开云棋牌官网在线客服发展蓝图的工程师所提供的白皮书，传统的开云棋牌官网在线客服制程微缩预计将在2024年以前告终。值得庆幸的是，各种新型的元件、芯片堆叠和系统创新，可望持续使运算性能、功耗和成本受益。

在国际元件与系统技术蓝图(International Roadmap for Devices and Systems；IRDS)最新发表的一份白皮书中提到，“由于多间距、金属间距以及单元高度同时微缩，使得晶粒成本迄今持续降低。这一趋势将持续到2024年。”

在2024年以后，该白皮书中提到，“已经没有足够的空间布局触点，加上接触多间距(CPP)微缩导致性能退化的结果，预计实体通道长度将因静电程度恶化而在12nm饱和，CPP则在24nm饱和，以保留足够的电源密度(~11nm)，使元件触点提供可接受的寄生效应。”

IRDS是首度于1965年发布的“国际开云棋牌官网在线客服技术蓝图”(ITRS)之延伸版本。去年五月，IEEE接手后将它重新命名为IRDS，并扩展到涵盖新型系统级技术。

IEEE预计将于11月在美国华府举行的活动上正式发布IRDS的第一个版本。新的白皮书象征迈向更新版本的过渡阶段。

在ITRS时代的许多白皮书都在介绍传统的研究，例如CMOS微缩、新兴元件与良率等。只有几篇论文能不落俗套地介绍一些新的领域，例如系统互连，以及量子与神经系统等新型运算。

开云棋牌官网在线客服芯片将自2021年起面临实体尺寸限制的挑战（来源：IRDS）

在所有的白皮书中，所谓的“后摩尔定律”(More Moore)在文章中有最详尽的介绍。它提供有关逻辑元件与存储器元件尺寸与材料及其关键元件(如互连)的大量资讯。

例如，在白皮书中预测，FinFET可为实现高性能逻辑应用持续微缩到2021年；然而，在2019年以后，将开始转向环绕式闸极(GAA)电晶体，并可能转向需要垂直纳米线元件，届时将会因为鳍片宽度微缩限制，而不再有闸极长度微缩的空间。”

该白皮书中并预测，插入高迁移率材料(如锗)，可望使“驱动电流提高一个数量级”。

它还预测，随着芯片制造商转移到水平和垂直GAA电晶体，“2019年以后的寄生效应将随设计规则紧缩而成为主要的旋钮，预计寄生效应将在关键路径性能发挥更大影响力。”

芯片堆叠和各种新兴元件可望为CMOS以外的元件提高性能以及降低成本。“业界必须追寻3D整合路径，如堆叠与单片3D (或序列整合)，以维持系统的性能与增加功率，同时保有成本优势。” IEEE研究员兼IRDS主席Paolo A. Gargini表示：“我们的研究团队正致力于确认挑战以及提议可能的解决方案，突破摩尔定律所定义的现有限制。”

随着芯片微缩，新的材料将需要保持性能和低功耗。（来源：IRDS）

系统创新就在眼前...

这份白皮书的初步版本针对新系统架构指出，“针对摩尔定律的限制，许多组织均根据新的元件实体提出补救措施。代表性的新元件包括神经形态电路、量子位元与自旋电子学等等。这些新的元件代表大幅扩展以往关注于CMOS与微处理器的领域…明显偏离了现有的发展路径。”

为了实现这种新架构，该发展蓝图还包括有关于应用基准的新部份，标示出11个值得追踪的领域，广泛地涵盖运算方式等。

针对系互连部份则广泛探讨有线与无线连接的挑战，包括为先进的RF电路“增加锗和三五族(III-V)材料的使用，并将其整合于硅基的CMOS平台上。”

数据中心“则需要紧密型低成本功率光子元件以及紧密型布线电路的开发。”

开云棋牌官网在线客服开发蓝图预期未来各种不同的运算方式将遍地开花（来源：IRDS）

最后还探讨了确保新兴物联网(IoT)将采取“需要耦合软件与硬件的新方法”。有趣的是，在预测CMOS微缩的部份，也预期英特尔(Intel)最近发布的3D XPoint将会是新一代的储存类存储器之一。

“尽管细节部份仍然不足，但据推测，基于硫族化物的相变材料阈值切换(OTS)特性构成了选择器元件的核心。”