3D 架构的 NAND 型快闪内存(Flash Memory)竞争越来越激烈，东芝(Toshiba)于去年 7 月宣布领先全球同业开始提供堆叠 64 层的 256Gb(32GB)3D Flash 的样品出货，之后三星于去年 8 月宣布，堆叠 64 层的 3D Flash 产品将在 2016 年 Q4(10-12月)开卖。而现在又换东芝出手，宣布容量提高 1 倍的 64 层 512Gb(64GB)3D Flash 已进行送样，且将在今年下半年量产。

东芝 22 日发布新闻稿宣布，采用堆叠 64 层制程技术的 512Gb(64GB)3D Flash 已于 2 月上旬进行样品出货，且预计将在 2017 年下半年进行量产，主要用于抢攻数据中心 / PC 用 SSD等市场。另外，堆叠 16 片 512Gb 芯片、实现业界最大容量 1TB 的产品预计将在今年 4 月进行样品出货

东芝表示，和 48 层 256Gb 产品相比，64 层 512Gb 产品每单位面积的记忆容量扩大至约 1.65 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。

产经新闻报导，据东芝指出，东芝是全球第一家提供 64 层 512Gb 3D Flash 样品的厂商;东芝已于今年 1 月量产 64 层 256Gb 3D Flash 产品。

报导指出，东芝推出 512Gb 产品，就是要用来对抗三星等竞争对手，而韩国 SK Hynix 则计划在今年下半年量产 72 层产品，研发竞争益发激烈。