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基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计
2014年电子技术应用第8期
高 雅,王宁章
广西大学 计算机与电子信息学院,广西 南宁530004
摘要:基于TSMC 0.18 μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。
中图分类号:TN710;TN432
文献标识码:A
文章编号: 0258-7998(2014)08-0041-03
Design of an ultra-wideband low noise amplifier with noise canceling technology
Gao Ya,Wang Ningzhang
Academy of Computer and Electronics & Information,Guangxi University,Nanning 530004,China
Abstract:A TSMC 0.18 μm RF CMOS low-noise amplifier(LNA) for 3 GHz~5 GHz ultra-wideband(UWB) applications is presented in wireless communication system. The designed LNA employs single-ended to differential conversion and is successfully implemented using the noise-canceling technique. The transistor series with a load inductance to provide wideband matching. Simulation results show that the proposed circuit network achieves a voltage gain of 17.34 dB~19.6 dB, the reflectance scales of both input and output ports are less than -11 dB, and noise figure is 2.02 dB~2.67 dB, consuming 12.5 mW energy at a 1.8 V power supply voltage.
Key words :CMOS;ultra-wideband(UWB);low-noise amplifiers;noise canceling

  2002年2月,美国联邦通信委员会(FCC)规划了3.1 GHz~10.6 GHz的频谱资源作为超宽带无线通信的频段,并引发了国内外广泛的关注[1-2]。超宽带UWB(Ultra-Wideband)以高传输速率、低功耗、较强的抗干扰能力等优势,成为最具研究潜力的技术之一。作为超宽带无线接收机前端的低噪声放大器,其噪声性能直接影响整个系统的灵敏度指标,主要作用是对接收到的微弱信号进行放大。低噪放的设计需要在噪声、带宽、增益及功耗等指标中需要做出折中考虑,它的设计在接收射频前端中有着至关重要的作用。

  本文采用TSMC 0.18 μm工艺设计了一种基于噪声消除技术、工作在3 GHz~5 GHz频段的CMOS超宽带、低噪声放大器。采用单端转差分的balun结构,对LNA噪声进行优化。本文采用共栅管(CG)作为输入匹配,共栅管与共源管并联实现噪声消除的目的,并运用串联电感负载的办法提高高频增益,实现了噪声消除与宽带的匹配。

1 共栅结构分析


001.jpg

  UWB LNA的输入匹配电路由共栅管M1、L1、C1组成,如图1所示。Cgs为M1管的栅源电容,Cd是M1管的漏极电容,Co是杂散电容。CMOS放大器的主要噪声来源于主放大器MOS管的沟道热噪声,其噪声表达式为:

N8L6$KZ{}NIUKN3@61Q%3@G.png

  其中,RL是共栅管的负载电阻,RS是信号源阻抗,假设KCO`HL9CRY(ER%Q6AX$KABC.png=1.33,其噪声系数NF约为4 dB[3-4],不能满足超宽带低噪声放大器的设计要求,须针对其缺点对电路进行噪声优化。

  该超宽带低噪声放大器的输入阻抗为[5]:

1`_}NZL@}K]A9IHELZSRGUW.png

  其中,gm是共栅管M1的跨导,ZL是M1的负载电阻,rds是M1的漏源电阻。由于ZL的阻值远远小于rds,输入阻抗的实部表达式为:

N2)M78T3[93MQ%LWT~@)35C.png

2 噪声消除设计分析

  2.1 噪声消除技术

  本文采用共栅管作为输入匹配,有用信号经两条Cascode支路后幅度相同,相位相反,差分输出后增益加强。噪声信号经两条Cascode支路后幅度相同,相位相同,差分输出后噪声消除。

  图2为共栅管输入匹配电路图,输入电流iin可表达为输入电压与输入阻抗之比:

)_O$5WRS3[EL%[JM6$89HBS.png

  其中,共栅管的输入阻抗匹配到信号源阻抗Rin,CG=RS=50 Ω。流入负载的电流设为iR1:

J(UG_M74MORA90_MAR%Q6C7.png

002.jpg

  其中Vout,CG是共栅管的输出电压,设共栅管M1的放大倍数为ACG,ACG=U9Z}Y(HK9[7@TK4TFPPBSW7.png,如图2所示,iin=iR1,联立式(4)、式(5)得:

BK6E1QX@_UU7LWQ~Z2P1~45.png

  由式(7)可得,共栅管M1的放大倍数等于负载电阻R1与信号源阻抗RS之比。

  采用常用的噪声消除技术设置原则优化共源管M1的栅宽值,其值的大小与M3管的栅宽值大小有一定的比例关系,M1的跨导与M3的跨导也就有着对应的比例关系,gm(CS)=ngm(CG)。负载则有相反的比例关系,即RCG=nRCS。n值的选取根据电路的不同而有不同的设置。

  在增益、输入匹配及噪声系数指标中做折中,n=4是较好的选择[6]。M1的跨导为gm,M2的跨导取值为4gm,为了满足电路所需的平衡状态,差分输出的两路应该有相同的放大倍数,即:

)450W6YJFOU48I`TI6DF_%C.png

  根据式(8)得,负载R2的阻值是R1的1/4。R1的阻值选取为1 200 Ω,则R2=5~V$IX{MYICZGZZ6(8LO){O.jpg=300 Ω。差分电路输出端的电压Vout,diff表达式如下所示:

  Vout,diff=ACG-ACS=2ACG(9)

  式(9)表明,差分输出后有用信号增强。

  2.2 Balun-LNA Topology


003.jpg

  图3所示为采用噪声消除技术设计的UWB LNA的完整电路图,共栅管M1与共源管M3通过耦合电容C2并联,其目的是加大增益及增强电路的隔离度,同时能够有效减少M1管、M3管的Miller效应。M1与M2管组成了共源共栅结构,M3与M4组成了共源共栅结构,M5与Rf组成了电路的偏置电路。

  有用信号经M1管后被同相放大,即X节点与Y节点相位同相;有用信号经过M3管后被反相放大,即X节点与Z节点相位反相。由于M1管与M3管应具有相同的放大倍数,即Y节点与Z节点是幅度相同、相位相反的两个信号,由差分电路输出后有用信号被增强。

  对于MOS管的沟道热噪声信号而言,经过共栅管M1的电流噪声在X节点与Y节点的相位相反。经过共源管M3的电流噪声在X节点与Z节点相位相反,即Y节点与Z节点的噪声信号是幅度、相位相同的两个信号,由差分电路输出后共模噪声得以消除。

3 仿真结果分析

  本文基于TSMC公司的0.18 m标准工艺设计了超宽带低噪声放大器。图4~图7是S参数和噪声系数的仿真结果图。

  由图4、图5可见,在3 GHz~5 GHz频率范围内,输入反射系数S11小于-11 dB,输出反射系数S22小于-11.2 dB,表明电路具有较好的输入、输出匹配特性,能够有效减少信号的反射;反射隔离系数S12小于-60 dB,表明电路的反相隔离度性能良好。由图6可见,在3 GHz~5 GHz频率范围,电路正向增益S21大于17.5 dB,L1与C1谐振位于低频点,有效提高了输入阻抗特性和低频增益,其中螺旋电感L1的品质因子Q在整个频率范围内均大于8;负载电路合理的选择能够有效提高电路的高频增益。由图7可见,电路的最小噪声系数NFmin在3 GHz~5 GHz范围内小于2.4 dB,且频率越高,各种寄生效应越明显,因此噪声系数恶化越严重。与其他文献LNA相比,噪声系数达到了较优结果。

006.jpg

  在1.8 V电压下,电路的功耗为12.5 mW。表1总结了本文所提出的超宽带、低噪声放大器与其他文献中设计的LNA的仿真对比结果。结果表明,本文所设计的采用噪声消除技术的电路在增益、噪声系数、插入损耗及功耗方面较其他设计都有更好的效果。

  根据噪声消除技术原理,利用共栅管较容易实现输入匹配的特点,采用差分输出电路的模式,设计了一种在3 GHz~5 GHz频带内超宽带、低噪声放大器电路。本文对电路的设计原理和参数设计进行了定量分析。基于0.18 μm CMOS工艺对电路进行仿真设计,在3 GHz~5 GHz带宽内,电压增益大于17 dB,噪声系数低于2.7 dB;在1.8 V电源电压下,电路功耗为12.5mW。与其他文献相比较,所设计的低噪声放大器达到了较好水平。

  参考文献

  [1] BLAAKMEER S C,KLUMPERINK E A M,LEENAERTS DM W,et al.The BLIXER,a wideband balun-LNA-I/Q-mixer topology[J].IEEE JSSC,2008,43(12):2706-2714.

  [2] 王宁章,高雅,宁吉,等.3 GHz~5 GHz超宽带噪声系数稳定的低噪声放大[J].电子技术应用,2013,39(7):31-34.

  [3] BMCCOLERI F.Wideband CMOS low noise amplifier exploitingthermal noise canceling[J].IEEE JSSC,2004,39(2):275-282.

  [4] BLAAKMEER S C,KLUMPERINK E A M,LEENAERTS DM W,et al.Wideband balun-LNA with simultaneous outputbalancing,noise-canceling and distortion-canceling[J].IEEEJSSC,2008,43(6):341-1350.

  [5] Liao Chih-Fan,Liu Shen-Iuan.A broadband noise-cancel-ing CMOS LNA for 3.1~10.6 GHz UWB receivers[J].IEEEJSSC,2007,42(2):329-339.

  [6] BLAAKMEER S C,KLUMPERINK E A M,LEENAERTS DM W,et al.An inductorless wideband balun-LNA in 65 nmCMOS with balanced output[C].Proc. 33rd Eur.Solid-StateCircuits Conf.(ESSCIRC2007),Munich,Germany,Sep,2007:364-367.


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