现在，主流的高级封装标准包括：

1、三星主推的Wide-IO标准

　　Wide-IO技术目前已经到了第二代，可以实现最多512bit的内存接口位宽，内存接口操作频率最高可达1GHz，总的内存带宽可达68GBps，是最先进的DDR4接口带宽（34GBps）的两倍。Wide-IO在内存接口操作频率并不高，其主要目标市场是要求低功耗的移动设备。

2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM标准

　　HBM（High-Bandwidth Memory，高带宽内存）标准主要针对显卡市场，它的接口操作频率和带宽要高于Wide-IO技术，当然功耗也会更高。HBM使用3DIC技术把多块内存芯片堆叠在一起，并使用2.5D技术把堆叠内存芯片和GPU在载板上实现互联。目前AMD在2015年推出的FIJI旗舰显卡首先使用HBM标准，显存带宽可达512 GBps，而显卡霸主Nvidia也紧追其后，在2016年Pascal显卡中预期使用HBM标准实现1 TBps的显存带宽。

3、美光主推HMC技术

　　HMC（Hybrid Memory Cube）标准由美光主推，目标市场是高端服务器市场，尤其是针对多处理器架构。HMC使用堆叠的DRAM芯片实现更大的内存带宽。另外HMC通过3DIC异质集成技术把内存控制器（memory controller）集成到DRAM堆叠封装里。以往内存控制器都做在处理器里，所以在高端服务器里，当需要使用大量内存模块时，内存控制器的设计非常复杂。现在把内存控制器集成到内存模块内，则内存控制器的设计就大大地简化了。最后，HMC使用高速串行接口（SerDes）来实现高速接口，适合处理器和内存距离较远的情况（例如处理器和内存在两张不同的PCB板上）。相较而言，Wide-IO和HBM都要求处理器和内存在同一个封装内。

　　Wide-IO标准、HBM标准、HMC技术都和内存相关，下表是有关Wide-IO， HMC， HBM及DDR标准比较。

　　Wide-IO， HMC， HBM及DDR标准比较

4、TSMC主推的CoWoS和InFO技术

　　CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和InFO（Integrated Fan Out）是台积电推出的 2.5D封装技术，称为晶圆级封装。台积电的2.5D封装技术把芯片封装到硅载片上，并使用硅载片上的高密度走线进行互联。CoWoS针对高端市场，连线数量和封装尺寸都比较大。InFO针对性价比市场，封装尺寸较小，连线数量也比较少。目前InFO技术已经得到业界认可，苹果在iPhone7中使用的A10处理器即将采用InFO技术。

InFO和CoWoS技术