石易立
(南通航运职业技术学院 机电系,江苏 南通 226010)
摘要:boost升压电路在电子电路设计中有着广泛的应用。文章提出一种新型同步boost电路,其结构简单,性能突出。用Cadence软件进行模拟仿真,系统频率为100 kHz,3.3 V输入,5 V/2.5 A输出,效率达到95%。
关键词:boost电路;同步整流;高效
0引言
boost电路在电子电路设计中有着广泛的应用,特别是各种电源电路和太阳能控制电路中,例如MPPT太阳能控制器最大功率点跟踪(Maximum Power Point Tracking, MPPT)、移动电源领域等。高效率、高频率和小型化一直是其追求的目标。由于boost电路中包含电容电感等非线性器件,这些对高性能的boost电路设计带来了诸多不确定性和难度,也使高效boost电路设计成为研究的热点之一。本文提出了一种同步boost电路,采用一些新型结构使得电路的基本指标达到要求,性能得到一定改善。
1boost电路原理
boost电路基本原理如图1所示。
图1中,当MOS管Q导通时,电源给电感L充电;当MOS管Q截止时,电感L电流通过电容C和二极管D给电容充电。如此往复,电容电压达到一稳定值。MOS管Q的导通截止由方波信号PWM控制。设PWM信号的占空比为D,则输出电压Vout=Vin·11-D,因为D<1,所以该电路能实现升压的功能。PWM信号由专用电路产生,它的频率决定了电感L的大小。一般希望电感越小越好,所以在实际电路设计中希望得到较高的PWM信号频率。同时为得到较高的电压精度,电容C也希望设置得越小越好。通常流经二极管D的电流就是电感电流,在大功率场合,这个电流会比较大,从而二极管上的功耗会很大,使得整个boost电路的效率大大降低。为改变这一状态,顾亦磊等人提出了同步boost电路的概念[1],将二极管用另一个MOS管取代,整体功耗得到了很大的改善。
2同步电路boost电路原理
同步boost电路基本原理如图2所示。
与图1相比,图2中用MOS管Q2取代了二极管D。当Q1导通时Q2截止,Q1截止时Q2导通,Q2取代了二极管的功能。由于Q1、Q2导通时都可以让其处于饱和导通[2],这样Q2管上的功耗将大大降低,提高了整体效率。这样一种同步导通截止的电路就称为同步boost电路。其详细驱动电路如图3所示。图3中AC为PWM信号源产生高电平为5 V、低电平为0 V的方波信号。Vcc为电源电压5 V。Q4、R3、R4组成简单反向器[3]。当AC为高电平时,Q4饱和导通,集电极输出低电平,Q3导通。当AC为低电平时,Q4截止,集电极输出高电平,Q3截止。从而使当AC为高电平时,Q5截止,Q2截止,Q3导通,Q1导通,电感充电;当AC为低电平时,Q5导通,Q2导通,Q3截止,Q1截止,电感放电,电容充电。实现了boost电路的基本功能。
事实上,这样的同步boost电路的同步性却不尽如人意。在Q1导通时,Q2并不能很好地同时截止,反过来,Q2导通时,Q1也不能真正地同时截止[1]。它们之间的这种时间差会在Q1、Q2、C回路中产生较大的电流和功耗。产生的原因主要是因为一管导通时另外一管不能很快地截止。在Q1、Q2 MOS管的G极与S极之间存在一定的结电容,当VGS=5 V时,GS结电容充满电,而当VGS=0 V时,GS结电容通过电阻R1、R6放电,CGS与R1(或R6)组成一个RC放电回路[4]。放电的快慢直接决定了MOS管的关断速度。放电越快MOS管的关断速度越快,放电越慢MOS管的关断速度越慢,所以只有当时间常数τ=RC比较小、放电快时才能带来很好的一致性。当结电容处于一个较为一致的水平时,降低电阻R就成了一个有效的手段。虽然当电阻R1、R6降到一定程度时,一致性可得到有效的改善,但同时也会带来新的问题,过小的R1、R6会使R1、R6上面的功耗变得非常大,同样影响整体效率。一个进一步改进的办法是用新的MOS管取代电阻R1、R6。
3改进型同步boost电路
改进型同步boost电路如图4所示。
图4中用两个MOS管(Q8、Q9)及其驱动电路(Q6、Q7)取代图3中的R1、R6。通过电路分析可以得到,当AC为高电平时,Q6截止,Q8截止,呈现高阻态,Q1导通;同时Q7导通,Q9导通,呈现低阻态,Q2的CGS迅速放电,Q2迅速关断,与Q1的导通实现了良好的一致性。同时,AC高电平时,Q5又处于截止状态,Q9中没有电流流过,Q9的低阻态不会引起功耗的上升,很好地解决了图3中R1、R6低阻值时带来的温升。反之,AC低电平时,Q7截止,Q9截止,Q2导通;另一端的Q6导通,Q8低阻态,Q1迅速关断。如此往复,Q1、Q2交替导通、截止,实现了boost电路升压的基本功能又降低了功耗,提高了整体性能。
4模拟仿真
结合上述原理,最后用Cadence软件模拟了图4中boost电路的工作过程。电路中Q1、Q2采用IRF3205,Q8、Q9采用IRF320。电感选择0.5 mH,电容选择0.5 mF,PWM频率100 kHz,上升沿下降沿时间各为200 ns。输入电压设为3.3 V,其余电路参数已在图4中标出。
当占空比D=0.36时,输出电压、输入功率、负载功率如图5~图7所示。
电源电压Vcc发出功率如图8所示。约为0.2 W。
可算出占空比D=0.36时,效率为:
5结束语
综上所述,本文提出的同步boost电路有着结构新颖,性能优良的特点。在各种电子电路设计中具有良好的应用前景。
参考文献
[1] 顾亦磊, 陈世杰, 吕征宇.Boost电路的一种软开关实现方法[J].电源技术应用, 2004(5):290293.
[2] 毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,程军,张瑞智,等译. 西安:西安交通大学出版社, 2003.
[3] 康华光.电子技术基础 模拟部分(第5版)[M].北京:高等教育出版社,2008.
[4] 曹京生.电工技术 [M].哈尔滨:哈尔滨工程大学出版社,2007.
(收稿日期:20160314)