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联发科16nm制程的P20能否重现Helio P10的辉煌

2016-07-20

  据报道指联发科首款16nm工艺的芯片helio P20正式上市,这被它寄予厚望希望实现helio P10的辉煌,后者被许多品牌采用,特别是去年至今高速增长的OPPO和vivo采用推动联发科的业绩实现了高增长。

  不过可惜的是,helio P20虽然采用了先进的16nmFF+工艺,但是在基带和GPU性能方面却太落后,这将成为它一大弱点而不被中国手机品牌所接受。

  Helio P20的基带仅支持LTE Cat6技术,不符合中国移动即将要求的至少LTE Cat7以上技术,LTE Cat7可以支持上下行双载波聚合,而LTE Cat6仅支持下行载波聚合。

  中国移动采用的是TD-LTE制式,由于技术上的因素,加上另外两家运营商联通电信运行的LTE-FDD在具有技术优势的情况下也积极推动4G+的发展,所以中国移动希望推动上下行双载波聚合以获得技术上的竞争力。

  不过,联发科显然在基带技术上要落后高通、华为海思、三星和展讯,这些芯片企业都已经推出了支持LTE Cat7以上技术的基带,更让联发科不好受的是一直以挑战联发科的展讯也在基带技术上领先。

  基带技术上的落后,将导致采用联发科芯片的国产手机品牌难以获得中国移动的补贴,而且随着中国移动正式公布这项要求将导致不支持LTE Cat7以上技术的手机在竞争中处于劣势。

  Helio P20另一个技术较落后的就是它的GPU了,在手机企业的竞争下,它们开始在中高端手机上采用2K屏,然而P20的GPU仅仅是T880 MP2,虽然频率高达900MHz,但是性能上较弱是无疑的,估计会比高通同档芯片骁龙625要弱不少。

  高通的骁龙625也支持LTE Cat7以上技术,采用三星的14nm工艺,与helioP20一样都是八核A53架构,技术上的落后将让联发科在下半年的竞争中处于弱势,难有上半年的好成绩。


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