2016年6月14日，北京讯——ARM公司近日宣布ARM® Artisan®物理IP，包括POP™ IP现已面市，针对基于全新ARM Cortex®-A73处理器，并采用台积电16FFC（FinFETCompact）工艺的主流移动系统芯片（SoC）。第三代Artisan FinFET平台已对台积电16FFC工艺实现优化，有助于ARM的SoC合作伙伴采用最节能、高性能的Cortex-A73，设计移动和其他消费应用，并符合大众市场的价格需求。

搭载ARM Cortex-A73 POP IP的首个台积电16FFC测试芯片已于2016年5月初完成流片。该芯片使ARM的合作伙伴能尽快验证新产品关键性能和功耗指标。Cortex-A73是ARM最新移动IP套件的一部分，在持续性能和效率上相较Cortex-A72有显著提升。

ARM物理设计事业部总经理Will Abbey表示： “设计主流移动SoC时，设计团队都面临着平衡实施优化与成本效益之间的考量。我们与台积电合作的最新物理IP能有效解决这一挑战，为ARM合作伙伴提供了Cortex-A73的最佳SoC优化解决方案。优化的Cortex-A73 POP解决方案将帮助我们的合作伙伴，促进自身核心实施技术，并缩短流片周期。”

台积电设计基础架构市场部高级总监Suk Lee表示：“我们与ARM的合作将推动包括移动在内等众多领域的先进技术发展。设计下一代旗舰手机SoC的客户将受益于这种新型、高效的解决方案，并实现最高性能的Cortex实施，更快地将创新产品推向市场。”

ARM和TSMC共同的芯片合作伙伴也将受益于早期获得ARM Artisan物理IP和Cortex-A72处理器16nm FinFET+流片，该高性能处理器为当今众多畅销的主流计算设备所采用。Artisan 16FFC物理IP平台现可用于评估，并可通过更新的DesignStart网站获取。欲获取更广泛Artisan物理IP，请访问：http://designstart.arm.com 。

附：ARM 与台积电的重大合作

• ARM携手台积电打造多核10纳米FinFET测试芯片，推动前沿移动计算未来(2016 年 5月)

• 针对高性能计算7纳米 FinFET工艺 ARM与台积电签订长期战略合作协议 (2016 年 3 月)

• ARM与台积电公司共同公布采用10纳米FinFET工艺的64位ARM架构处理器发展蓝图 (2014 年 10 月)

• 台积电公司与ARM合作率先完成64位ARM big.LITTLE技术FinFET硅芯片的验证 缔造效能与功耗的新标竿 (2014 年 9 月)

• ARM针对台积公司28纳米HPM和16纳米FinFET工艺技术发布Cortex-A50系列POP IP产品 (2013 年 4 月)