据可靠的消息人士透露，高通(Qualcomm)采用10nmFinFET制程生产的骁龙(Snapdragon)830处理器将在今年内(2016年内)发表，且搭载该款处理器的智能手机产品(首发机)将在明年(2017年)Q1现身。

　　据报导，除骁龙830之外，目前也已知有比现行骁龙820拥有更高性能的骁龙823处理器的存在，而该款骁龙823产品似乎将持续采用14nmFinFET制程。

　　报导指出，从搭载骁龙830的智能手机可能会在明年Q1现身这点来看，骁龙830可能将撘载在叁星GalaxyS7、LGG5、小米Mi5或宏达电HTC10等旗舰机种的后继机种上。

　　微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料称，高通骁龙830(代号为“MSM8998”)将采用叁星10nm制程、撘载改良版“Kryo”架构、且将支援8GBRAM，预计将在2017年初发布。

　　为了对抗高通骁龙820，联发科3月16日在深圳宣布自家十核心芯片HelioX20即将上市，且更在会场上发布更高阶的HelioX25(用来对抗骁龙823?);而联发科用来对抗骁龙830的产品，应该就是传闻将采用台积电10nm制程的HelioX30。

　　Arena、GSMArena3月30日引述中国MTK手机网报导，知情人士透露，联发科X30将进一步深挖叁丛十核的潜力，不仅确认会应用 10纳米制程，且是采用台积电10nmFinFET工艺，预估最快6月就能成功“设计定案”(tape-out)，有望年底实现量产。

　　韩国时报报导，BernsteinResearch分析师Mark.C.Newman3月10日发表研究报告指出，叁星的进度虽然有些拖延，但 仍可抢下“业界第一个10纳米晶圆代工厂”的头衔，台积电、英特尔将会紧跟在后，至于格罗方德(GlobalFoundries)则几乎赶不上。

　　Bernstein预估，叁星的10纳米制程技术会在今年稍晚小幅投产，主要代工自家的处理器以及高通次代行动芯片组“Snapdragon830”。不过，台积电仍不容小觑，拜产能庞大之赐，台积电也许将后来居上、产量会更多。