现在大部分智能手机、平板电脑、固态硬盘都采用NANDFlash作为存储部件，NAND和以前存储技术相比有许多优点，存储读取速度快、体积小。不过随着NAND部件存储容量加大，其设计复杂度和存储控制难度等都在加大。一些新型的存储技术自然逐渐出现，对NAND提出了挑战。阻变式存储器（RRAM）就是其中之一，Crossbar公司是RRAM技术的领导者。

RRAM具有许多新的特性，比如：在单芯片上实现太字节（terabyte）存储，比DRAM高40倍的密度，并具备更高的性能和可靠性；更快的读取速度；比NAND快1,000倍的写入速度；比NAND高1,000倍的耐久性；支持高温环境，可用于数据中心和移动设备。

Crossbar战略营销和业务发展副总裁Sylvain Dubois（左一）

Crossbar首席科学家暨联合创始人卢伟教授（左二）

Crossbar首席执行官暨联合创始人George Minassian博士（左三）

北极光创投董事总经理暨Crossbar董事会董事杨磊博士（左四）

“现在有不少新型的存储技术出现，我们跟它们比材料结构非常简单，成本较低，容量可以做的很大。比如像铁电存储器（FRAM）一般都需要二十层左右的材料，这样工艺也会很复杂，而我们就只需要三层。再比如，相变存储（Phase-Change Memory）大概需要100种新材料加进代工厂，而我们只要三层结构，并且没有任何新材料。RRAM在成本和生产方面都有着优势。”Crossbar首席科学家暨联合创始人卢伟教授告诉kaiyun官方注册记者。

北极光创投董事总经理暨Crossbar董事会董事杨磊博士进一步解释说：“对，它本身的器件结构决定了它就不可能贵，但是前提条件是你的生产良率和生产规模要达到一定的程度，但是器件简单的东西，说实话良率只是一个时间的问题。我们现在良率已经非常高了。”

和很多先进的开云棋牌官网在线客服设计公司大多数是由欧美主导不同，Crossbar有很多“中国基因”。Crossbar技术首先由中国出生的卢伟博士。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、开云棋牌官网在线客服纳米线设备和低维系统中的电子输运。其次公司成立于2010年，由中国及全球风投投资，北极光创投就是中国投资者之一。最后，最近Crossbar和中国代工厂中芯国际合作采用40nm工艺准备2017年开始量产RRAM。

虽然RRAM技术先进，存储容量方面占据优势，但是初期受制于生产规模，所以价格会相对较高，将主要针对特定市场。

卢伟透露说，我们初期会主要针对嵌入式和物联网市场，存储容量规格会主打8M和16M。

Crossbar首席执行官暨联合创始人George Minassian博士也表示：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为EEPROM内存，将是满足这些需求的理想解决方案。”

随着RRAM逐渐成熟，也会逐渐进入企业市场、计算中心等行业客户。

为了更好地服务中国客户，Crossbar还在近日设立了上海办事处，负责技术转让和客户的售后支持。