2016年,3D Flash将续写摩尔定律
2016-02-19
随着原厂NAND Flash工艺向1znm推进,NAND Flash良率、性能等受到影响,单颗NAND Flash Die容量也很难突破128Gb。为了降低成本提高市场竞争力,以及生产更好性能的NAND Flash,三星最早在2013年推出24层3DNAND, 2015上半年3D NAND以32层TLC量产为主,Q4开始投入48层TLC量产,并将NAND Flash Die容量提高至256Gb,推出高达1.6TB的SSD,规划2016年底实现64层TLC量产。三星3D NAND除了在大陆西安厂投产,2015上半年还宣布投资150亿美金在韩国平泽市新建工厂,主要用于2D 10nm量产和3D技术的发展,预计2017年投入生产。
东芝/闪迪在2015下半年有48层3D NAND样品,除在Fab 5二期工厂生产3D NAND,还把Fab 2改成3D NAND量产专用工厂,预计2016年开始投入生产;美光从2015年Q2在新加坡工厂少量生产32层3D MLC NAND,而且还投资40亿美金在新加坡新建Fab 10x工厂,为2016年量产下一代3D NAND准备,预估满载月产能大约14万片;SK 海力士也新建了一座M14工厂,将于2016年生产20nm DRAM和3D NAND。
与2D工艺相比,3D技术具有更高的速度,更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量,但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间,缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND,再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下,3D技术将越来越有成本优势,预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%,2018年将提高到45%,逐渐成为NAND Flash主流。
(来源:中国闪存市场)