Flash原厂主要是三星、东芝/闪迪、美光、SK 海力士，三星2014下半年就以16nm TLC/MLC量产，2015年提高16nm TLC量产规模，由于16nm TLC 128Gb较东芝15nm TLC 128Gb在闪存卡和U盘价格上没有竞争力，大量用于eMCP/eMMC，并从下半年开始转进14nm量产。东芝/闪迪2015上半年由A19nm向15nm转换，其中15nm MLC主要用于eMMC和SSD生产，15nm TLC满足闪存卡、U盘等大容量需求。

美光2015上半年是由18nm全面转向16nm，16nm MLC L94C和L95B满足eMMC和SSD需求，16nm TLC B95A和B95B增强了LDPC ECC纠错能力，并将16nm TLC用于自家SSD中。SK海力士技术提升比较快，2015年基本已转入

16nm MLC/TLC工艺量产，由于16nm 128Gb TLC品质稳定，除了获得苹果iPhone采用，还用于供应其它厂商TLC SSD生产，并规划在2016年初向14nm转进，进一步提高NAND Flash产量。

2014年1ynm MLC较1xnm MLC每片Wafer晶圆Flash Die产出可增加25%，2015年Flash原厂全面向1ynm TLC规模化量产，与1ynm MLC比较，每片晶圆Flash Die产量可增加30%，成本下滑20%。以三星工艺技术为例，一个12吋晶圆，三星采用16nm工艺大约切割出750片的64Gb MLC Flash Die，同样采用16nm工艺大约切割出1000片的64Gb TLC Flash Die，每片晶圆产能将增加33%，成本降低20%，这也是NAND Flash价格快速下滑的主因。

市场供过于求，闪存产品价格跌幅达35%

2015年三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士等NAND Flash供应量合计超过800亿GB当量，其中三星采用16nm TLC和48层3D技术提高产量，月产出在22亿GB当量，主要满足智能型手机、平板、SSD等需求，大约占32%的市场份额。东芝和闪迪Fab 4和Fab 5工厂合计月产出约25亿GB当量，受15nm TLC工艺量产延后和内部重整等影响，市场占有率下滑至20%，闪迪则受企业级SSD认证递延以及NAND Flash价格下跌拖累，市占率下滑至15%。美光扩大16nm TLC量产，并逐步减少MLC市场供货，月产出量约12亿GB当量，SK海力士产能主要集中在DRAM，NAND Flash月产出量大约为8亿GB当量，由于TLC品质好，大部分被苹果独揽，而市场供货主要以MLC为主。

2015年NAND Flash市场供应量较2014年成长20%，供应给eMMC和SSD合计超过75%。eMMC受惠智能型手机出货成长，且高端机型向128GB提高带动，以及平板、OTT盒子、智能电视等应用增加，eMMC大约消耗45%的NAND Flash产能。而在移动设备推动下，SSD在服务器需求快速增长，再加上消费类SSD从128GB开始普及，并向256GB转移，SSD消耗NAND Flash比重已提高至32%，预计2018年将成NAND Flash最大的应用产品。传统存储卡在手机市场需求快速下滑，U盘市场需求也因PC出货下滑和网络存储影响而一蹶不振，对NAND Flash消耗降低至18%，2016年这一市场还会持续萎缩。

Flash原厂1ynm TLC推动NAND Flash成本下滑20%，闪存产品价格下滑是必然，而全球智能型手机成长趋缓，平板出货下滑，PC需求持续不振等却加快了产品价格下滑的速度。据中国闪存市场网ChinaFlashMarket数据显示，2015上半年市场供过于求，NAND Flash价格指数下滑15%，下半年苹果iPhone 6s、三星Note 5、华为荣耀7等新机需求带动市况有所好转，但仍低于市场预期，NAND Flash价格指数累积跌幅高达35%，其中主流产品eMMC和SSD平均跌幅25%，闪存卡最高跌幅40%，U盘价格跌幅在20%左右，预计2016上半年市场依然会供过于求，下半年市况将有所好转。

（来源：中国闪存市场）