“助攻”电源设计 900V SiC MOSFET导通电阻创新低
2016-01-05
2016年1月4日消息，CREE推出了业界首款900V MOSFET——C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
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