kaiyun官方注册
您所在的位置:首页 > 嵌入式技术 > 业界动态 > 反击高通/联发 Marvell推出16/28nm堆叠SoC

反击高通/联发 Marvell推出16/28nm堆叠SoC

2015-06-09

      因应高通(Qualcomm)、联发科近期在LTE SoC市场猛烈攻势,Marvell也积极与台积电合作开发独家芯片互连技术,期以2.5D封装堆叠16和28纳米晶圆,实现业界首创模组化、 VSoC(Virtual SoC)设计架构--MoChi(Modular Chip),从而打造成本效益与功能整合度更佳的移动处理器SoC,预计今年底新产品即可问世。

  Marvell全球业务副总裁Sean Keohane认为,具备较低成本、高整合度设计优势,将是Marvell在未来移动处理器战场胜出关键。

  Marvell 全球业务副总裁Sean Keohane表示,1x纳米鳍式电晶体(FinFET)制程绝对是移动处理器业者当前的研发焦点;然而,16/14纳米FinFET系统单芯片 (SoC)除复杂度遽增外,成本也令人望之却步,光是光罩(Mask)开支就上看500万美元,一旦设计出错还要重开一次,在在加重芯片商投资风险和压 力,更难以满足终端产品开发与制造商殷切追求的高效能、亲民价格需求。这促使业界须颠覆传统设计框架,以截然不同的思维打造SoC。

  事实上,高通、联发科近来积极较劲,皆重兵部署祭出20纳米7模LTE Cat. 6处理器,而高通更推进至LTE Cat. 9规格,联发科则将CPU竞赛门槛拉高至十核心,因而让身为第三势力,产品规格仍停留八核心、5模LTE的Marvell备感压力。为保卫国际品牌市占, 并持续开拓中国大陆4G市场,Marvell已开始押宝下一代16纳米FinFET制程,酝酿反击攻势。

  Keohane强调,未来,处理 器效能、整合度和成本优势缺一不可,Marvell于今年世界移动通讯大会(MWC)抢先发表VSoC架构--MoChi,正是应运如今高投资、高风险与 高复杂度的16纳米FinFET设计而生。MoChi可将SoC中最主要的CPU/GPU,以及LTE、Wi-Fi Combo等周边关键通讯元件各视为一个模组,灵活运用16纳米或28/20纳米制程,再透过独家定义的晶圆互连(Interconnect)介面、虚拟 化架构和2.5D封装技术实现新时代SoC。

  Keohane分析,移动SoC全面迈向64位元架构,并整合应用处理器、多频多模LTE数 据机,以及无线区域网路(Wi-Fi)802.11ac加蓝牙(Bluetooth)4.1多功能整合(Combo)芯片已是时势所趋,但随着SoC牵涉 更多技术层面,设计出错风险难免攀升。因此,Marvell与台积电全力发展MoChi,将仿效PC处理器南北桥芯片组概念,以16纳米FinFET开发 多核心CPU/GPU,追求更高逻辑运算能力;再以成熟的28/20纳米打造LTE数据机和Wi-Fi Combo,达成较高经济效益,最终透过2.5D矽中介层(Interposer)或3D矽穿孔(TSV)堆叠封装成SoC。

  如此一来, 处理器厂不仅能将鸡蛋分散至多个篮子上,还能加速先进制程设计流程,同时提升产品性价比,进一步满足系统厂要求。Keohane更透露,由于移动装置扩增 电源管理芯片(PMIC)、射频芯片(RF IC)等类比方案的需求高涨,因此该公司也计画在2016年将MoChi SoC架构推向类比/数位制程整合的层次。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map