三星新储存元件 让中端手机也享大容量
2015-03-20
在Galaxy S6搭载最高128GB储存容量后,三星似 乎也计画让更多手机也能享有大容量,稍早宣布将推出以eMMC 5.0技术为基础,同时最高储存容量达128GB的3-bits-per- cell NAND Flash储存元件,并且对应每秒达260MB读取速度表现,预期将使中阶规格以下手机产品,以及多数记忆卡产品能在成本预算内有更 大储存容量选择。
根据三星公 布消息,预计将推出以eMMC 5.0技术为基础,同时最高储存容量达128GB的3-bit NAND Flash储存元件,同时读取速度表现将达每秒 达260MB。虽然整体不比搭载于Galaxy S6系列机种的UFS规格有更高存取效能,但此次推出的新款NAND Flash储存元件提供在成本预算 内有更大储存容量选择,并且保有一定存取效能的使用特性。
目前三星并未说明此项产品将在何时供货,但预期未来将使中阶规格以下手机产品,以及多数记忆卡产品能在成本预算内有更大储存容量选择。
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