为提升NANDFlash性能而将Cell垂直堆叠的3D堆叠技术竞争逐渐升温。目前三星电子(Samsung Electronics)已具备生产系统独大市场，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等开云棋牌官网在线客服大厂也正加速展开相关技术研发和生产作业。

　　据ET News报导，NANDFlash的2D平面微细制程，因Cell间易发生讯号干扰现象等问题，已进入瓶颈。主要开云棋牌官网在线客服大厂转而致力确保将Cell垂直堆叠的3D技术。开云棋牌官网在线客服业界的技术竞争焦点从制程微细化，转变为垂直堆叠能力。

　　在3DNAND的发展方面，目前三星暂时领先。2014年三星完成32层Cell堆叠并投入量产，2015年下半将生产48层堆叠产品。同时，三星也计划在2016年上半投入64层堆叠产品量产。三星的技术发展较其他竞争业者更快，在3D领域确保独步全球的技术竞争力。

　　三星利用大陆西安工厂生产3D NAND，未来大容量固态硬碟(SSD)也将大部分以3D NAND制造。南韩业界认为，三星的3D NAND比重将从2015年的15%，在2016年提升到35%水准。

　　SK海力士2014年研发出24层堆叠的NAND Flash，并对部分客户提供样品，目前正在研发36、40层堆叠的产品。2015年将完成实验产线生产及生产性验证，并于2016年初选定主力产品投入量产。

　　东芝和美光最快将在2015年底投入量产。两大厂都已确保24层堆叠技术。2015年底或2016年初实际生产的产品，堆叠层数预估会是30~40层。3D NAND的核心竞争力在于面积相同Cell的堆叠层数。因在装置上占的面积最小化，并确保更大的储存容量。

　　即使采用同样的制程技术，3D堆叠的芯片较2D在理论上写入速度快2倍、写入次数最大可提升到10倍，集成度也可提升2倍以上，而耗电量则减少一半耐用度也较2D产品优越。

　　南韩业者表示，目前尚未知存储器芯片堆叠技术的瓶颈，未来也有可能出现堆叠100层以上的设计。惟3D制程在蚀刻和蒸镀的难易度较高，确保尖端设备变得非常重要。