随着许多标准架构(PCI、ATCA)，电信及服务器机柜的尺寸越来越小，功率密度会越来越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越来越多，从而导致其电流不断增加。所以，客户需要具有更小体积和更高电流的ticle/index.aspx?id=22631">DC/DC电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用创新封装手段的DualCool^TMNexFET^TM功率MOSFET，它能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足客户需求。
TI中国区电源产品业务拓展工程师吴涛向记者介绍：“NexFET MOSFET技术本身就具有高密度结构、低门极电荷、低导通电阻等优点，比沟槽技术的充电电荷降低了一半左右。全新的DualCool NexFET功率MOSFET是TI面向高电流DC/DC应用推出的业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其他标准尺寸封装的产品，该产品系列具有高效的双面散热技术，将允许通过FET的电流提高了50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器。”
DualCool NexFET功率MOSFET使得功率转换产生的热量能通过对流冷却从顶端散出，不但提高了功率密度、电流承受能力，同时增强了系统稳定性。图1为DualCool NexFET和标准的QFN封装截面视图。由图1可以看出，与传统的MOSFET相比，DualCool上面有一块金属表层，其具有减少上表面热阻的功能。也就是说，DualCool NexFET功率MOSFET上表面产生的热量既可以通过下表面传到板上去，也可以通过上表面源极的金属片传递到热阻很小的额外的这块金属片上，再通过接触传递到Heat Sink上去。通过系统级仿真证明，这种增强型封装技术可将封装顶部热阻从10~15 ℃/W降至1.2 ℃/W，从而将该封装所能承受的功耗提升80%。

DualCool NexFET功率MOSFET采用业界标准5 mm×6 mm SON封装，可简化设计、降低成本，与使用2个标准5×6封装相比，可节省 30 mm2的空间。此外，作为单相35 A同步降压转换器的MOSFET，它采用1个MOSFET即可满足高电流DC/DC应用中的高、低侧2种开关需求。该系列包含的5款NexFET器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的MOSFET可广泛用于各种终端，如台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。
DualCool NexFET功率MOSFET是TI自2009年2月收购高频率高效率电源管理开云棋牌官网在线客服设计商CICLON开云棋牌官网在线客服器件公司以来推出的第一款全新的功率MOSFET产品，进一步壮大了TI现有的电源管理产品系列，也标志着TI能够为客户提供可支持高效电源设计的完整解决方案。