NAND Flash价格续滑 难摆脱供给过剩困境
2015-01-27
由于MLC(Multi-Level Cell)NANDFlash供应量持续增加,造成价格连续两个月下滑,业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重,后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。
根据韩媒DigitalTimes报导,由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季,加上库存堆积,导致NAND Flash价格走滑,市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NANDFlash下滑走势虽大部分是受到淡季影响,但2015年就算是旺季,预估价格上涨幅度也不会太大,由于厂商提升技术力及产量,预期将持续陷入供过于求困境。
更多NAND Flash价格系自2014年4月起维持持平或微幅上升曲线,然10月开始走下坡直到现在,刚好与三星在2014年10月宣布量产全球首款TLC 3D V-NAND时机相近,三星在12月完成华城开云棋牌官网在线客服厂3位元V-NAND量产体系,2015年起固态硬碟(SSD)所有产品线将全部采用TLC技术生产。
另外,SK海力士(SK Hynix)亦正在开发TLC SSD,东芝(Toshiba)整体NAND Flash中约有35%采取TLC技术,美光(Micron)也从2014年底投入TLC技术量产,让TLC NAND Flash转换竞争日趋白热化。存储器业者表示,SLC(Single-Level Cell)NAND Flash市场可视为已经消失,MLC NAND Flash价格战正打得火热,如果三星等业者提高TLC产品生产比重,MLC产品价格下滑情况将更为明显。
尽管相较于SLC,MLC及TLC NAND Flash能增加单位面积内资料储存量,但亦导致存储器储存寿命缩短,让资料分散式软体系统更显重要,业界认为TLC NAND Flash虽然在技术上未臻完美,但成为市场主流已是时势所趋,不具备相关技术的NAND Flash制造厂,恐将在市场竞争中遭到淘汰。
360°:TLC SSD
市场预期低成本SSD解决方案TLC SSD,在2015年将会取下全球40%以上的占有率,三星电子(Samsung Electronics)抢头香推出TLC SSD后,慧荣、群联等控制晶片业者也加入战场,有助于此市场的渗透率提前攀升。
随着快闪存储器产业年度盛事,快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)热闹登场,各业者积极宣示新产品诞生,慧荣也推出秘密武器SATA 6Gb/s SSD控制晶片SM2256,是全球第一款搭载韧体,并支援全系列TLC NAND Flash控制晶片,支援快闪存储器制程技术包括1x/1y/1z纳米,以及未来新一代的3D TLC NAND产品。
慧荣M2256控制晶片搭载独有NANDXtend解错修正技术,在多层解错修正机制运作下,提升资料读写保护能力,也提升高达3倍的TLC NAND写入和抺除的次数(P/E Cycle),目前已经进入送样测试的阶段,预计2014年第3季可进入量产。