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Vishay的VRPower集成式DrMOS功率级实现高功率、高性能多相POL稳压器

2014-12-11

新器件采用标准的6mm x 6mm PowerPAK MLP66-40L、新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L和4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP4535-22L封装

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用3种PowerPAK®封装尺寸的新系列VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案,用以应对高功率和高性能的多相POL应用中的设计挑战。

     Vishay Siliconix SiC789和SiC788采用MLP66-40L封装和符合Intel®4.0 DrMOS标准(6mm x 6mm)的占位;SiC620和SiC620R采用新型5mm x 5mm 的MLP55-31L封装;SiC521采用4.5mm x 3.5mm的MLP4535-22L封装。这些器件适用于需要大电流,电路板空间有限的计算和存储设备、电信交换机和路由器、图形卡、比特币挖矿机中的DC/DC转换器。

     SiC789和SiC788的6 mm x 6 mm封装便于已经采用Intel标准DrMOS 4.0占位的设计升级到更高的输出功率,而新的5mm x 5mm和3.5mm x 4.5mm占位非常适合电路板空间受限,需要采用更多小尺寸电压稳压器的新设计。PowerPAK MLP55-31L和MLP4535-22L在设计上还有多项改进和提高,改善了封装的寄生效应和热性能,充分发挥Vishay最先进的Gen IV MOSFET的动态性能。

     比如,SiC620R采用可双面冷却的MLP55-31L封装,在典型的多相降压转换器里能够输出70A电流,效率达到95%。通过在封装的正面和背面对器件进行冷却,在占位比前一代封装缩小33%的同时,损耗还减少了20%。在笔记本电脑和服务器、通信交换机及游戏机主板的外接电源里,3.5mm x 4.5mm尺寸的SiC521能够连续输出25A电流,峰值电流达40A。

    VRPower系列的栅极驱动IC兼容各种PWM控制器,支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。另外,驱动IC整合了二极管仿真模式电路,能够提高轻负载条件下的效率,自适应死区时间控制有助于进一步提高在所有负载点下的效率。器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO)、击穿保护,过热报警功能在结温过高时会向系统发出警报。

器件规格表:

封装

产品编号

PWM 逻辑电平

双面冷却

输入电压

最大电流

轻负载模式

PowerPAK®

MLP55-31L

(5 mm x 5 mm)

SiC620R

5 V

4.5 V – 18 V

70 A

ZCD

SiC620AR

3.3 V

SiC620

5 V

4.5 V – 18 V

60 A

ZCD

SiC620A

3.3 V

PowerPAK®

MLP66-40L
(6 mm x 6 mm)

SiC789

5 V

4.5 V – 18 V

60 A

SMOD

 
 

SiC789A

3.3 V

 
 

SiC788

5 V

4.5 V – 18 V

50 A

SMOD

 
 

SiC788A

3.3 V

 
 

PowerPAK®

MLP4535-22L
(4.5 mm x 3.5 mm)

SiC521

5 V

4.5 V – 18 V

40 A

ZCD

SiC521A

3.3 V

VISHAY简介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立开云棋牌官网在线客服(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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