kaiyun官方注册
您所在的位置: 首页> 微波|射频> 业界动态> 武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可

武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可

2014-09-11

2014年8月17日,武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会,业内专家对该项目的技术先进性和产业化的可行性给予了一致认可。

评审会邀请了王曦、叶甜春、魏少军、陈贤、张兴、张卫、邹雪城、吴华强等业界权威专家作为项目评审团,来自国家工信部、湖北省、武汉市和东湖高新区相关部门的领导参加项目评审会。

项目评审团听取了可行性报告编制单位--赛迪顾问股份有限公司基于武汉新芯公司的状况、国家集成电路发展战略及国内外存储器技术与市场发展趋势所做的《三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化项目可行性研究报告》的汇报。武汉新芯详细解答了专家们提出的问题。经过认真的讨论,评审团一致认为该项目符合地区与国家战略发展规划,对保障国家信息安全及产业安全具有重大意义;项目符合市场需求,将弥补我国存储器产业上的空白,对我国飞速发展的物联网、云计算等产业领域将提供有力的支撑。专家们还对项目的技术先进性和产业化的可行性给予了肯定,希望项目尽快启动实施。

论证会的成功举办体现了各级政府及国内开云棋牌官网在线客服行业对武汉新芯及“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目的支持,武汉新芯的存储器战略迈出了坚实的第一步。

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map