德州仪器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低导通电阻
2013-11-12
日前，德州仪器(TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻MOSFET。该最新系列FemtoFET™ MOSFET晶体管采用超小型封装，支持不足100 毫欧的导通电阻。如欲了解更多详情，订购样片与SPICE 模型，敬请访问：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。
三个N 通道及三个P 通道FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列(LGA) 封装，与芯片级封装(CSP) 相比，其可将板积空间锐减40%。CSD17381F4与CSD25481F4支持不足100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超过4000V 的人体模型(HVM) 静电放电(ESD) 保护。点击这里观看视频。
部件号 |
通道 |
BVdss (V) |
Vgs (V) |
典型导通电阻（欧姆） |
Id（Ta = 25°C 时） (A) |
||
1.8V |
2.5V |
4.5V |
|||||
N |
30 |
12 |
160 |
110 |
90 |
3.1 |
|
N |
30 |
12 |
370 |
240 |
200 |
1.5 |
|
N |
12 |
8 |
310 |
170 |
140 |
2.1 |
|
P |
-20 |
-12 |
395 |
145 |
90 |
-2.5 |
|
P |
-20 |
-12 |
580 |
338 |
210 |
-1.6 |
|
P |
-12 |
-8 |
480 |
250 |
150 |
-2.3 |
|
FemtoFET MOSFET 归属TINexFET 功率MOSFET产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的CSD25213W10P 通道器件以及CSD13303W1015N 通道器件等。TI 提供LP5907大电流低压降(LDO) 线性稳压器以及TPS65090前端电源管理单元(PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。
FemtoFET MOSFET系列的主要特性与优势
· 不足100 毫欧的导通电阻比类似器件低70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
· FemtoFET 0.6 毫米× 1.0 毫米× 0.35 毫米的LGA 封装比标准CSP 小40%；
· 1.5A 至3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过2 倍的性能。
供货情况
FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过TI 及其授权分销商进行订购。
了解更多详情：
· 采用TIWEBENCH 电源设计工具在线设计完整的电源管理系统；
· 从TIPowerLab™ 参考设计库下载电源参考设计。
· 访问德州仪器在线技术支持社区咨询问题：www.deyisupport.com。