摘 要:提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比(PSRR)的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0.35 μm CMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18 mm2。提取寄生参数(PEX)仿真结果表明,该电路在-55 ℃~+90 ℃范围内的温度系数为15.5 ppm/℃,室温下基准电压为1.203 5 V;在低频段电流源的电源抑制比为90 dB;在外接电阻从1 kΩ~400 kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0.000 1 μA。
关键词:基准电流;电流镜;版图
基准电路要求产生一个独立于电源电压和工艺,并具有特定温度特性的直流电压或者直流电流,包括基准电压源和基准电流源两种。基准电流源在射频/模拟和数模混合集成电路中广泛应用,其精度直接影响整个芯片的性能。在基准电压电路中,带隙基准电路能够产生一个与电源和工艺参数相关度很弱并具有确定温度特性的直流电压,得到了广泛地应用。通常实现基准电流源有两种方法:一是将具有正温度系数的电流和具有负温度系数的电流进行加权求和,这种方法得到的电流温度特性较好[1];二是把带隙基准电压加在电阻两端从而产生基准电流,在已有带隙基准电压的情况下无需增加过多器件即可得到基准电流[2],同时,带隙基准具有较高的电源抑制比,可提高基准电流的输出精度。
RF无线收发芯片会受到串扰和衬底噪声的影响,因此电源的噪声比较大,对于电流源这样精度要求高的模拟电路就要有较高的电源抑制比。本文设计了一种应用于射频(RF)无线收发机SoC芯片中高精度的电流偏置电路。即把带隙基准电压加在电阻的两端,产生基准电流,可提高基准电流的电源电压抑制比。采用增益提高型电流镜电路,提高输出阻抗,减小沟道长度调制效应对基准电流的影响,产生高精度电流的偏置电路。基准电流偏置电路整体架构如图1所示。
1 带隙基准以及启动电路
1.1带隙基准电压核心电路
本文采用的带隙基准电路如图2所示,M9~M12构成低压共源共栅电流源结构,提高了输出阻抗,从而减小沟道长度调制效应对3路电流匹配精度的影响。同时,该结构与传统共源共栅结构相比,能减小消耗的电压余度,适合在低电源电压中应用。M5/M6/Q0和M7/M8/Q1分别为带隙基准核心电路M13/M15和M10/M12/M18管提供偏置电压。
电流源的电源电压抑制比如图7所示。在低频段,增益为90 dB,即使频率在10 kHz,也有较高增益(30 dB),说明电流源具有较强的抗干扰能力。图8是电流镜在外接电阻Rout从1 kΩ~400 kΩ之间变化时,输出基准的电流大小变化,误差范围为0.000 1 μA,因此可以提供高精度的电流偏置。过A点后,由于外接电阻过高,导致外接电阻上的压降很大,使MOS管进入线性区工作,因此电流会迅速减小。
本文设计了一款应用于RF无线收发芯片的高精度基准电流偏置电路,包括带隙基准、基准电流源和电流镜电路的设计。设计带隙基准电路时,通过对功耗、面积和失调电压对基准电压的影响进行综合考虑,实现电路的最优设计。设计电流源时以带隙基准电路做偏置,并采用电压电流转换器结构提高电流镜的电源抑制比。为了得到高精度的输出基准电流,本文采用了增益提高型电流镜电路,提高电流镜的输出阻抗,抑制了沟道长度调制效应对输出基准电流的精度影响。采用了0.35 μm CMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18 mm2。提取寄生参数后,PEX仿真得到,在外接电阻从1 kΩ~400 kΩ变化时,输出基准电流的误差为0.000 1 μA,符合高精度电流偏置电路的要求。
参考文献
[1] FIORI F, ROVETTI P S. Compact temperture-compensated CMOS current reference[J]. Electronics Letters, 2003,39(1):724-728.
[2] BADILLO D A. 1.5V CMOS current reference with extenged temperature operating range[C]. IEEE International Symposium on Circuits and System, ISCAS 2002, 2002:197-200.
[3] 拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].西安:西安交通大学出版社,2003.
[4] ELDBIB I, MUSIL V. Self-cascode current controlled CCII based-tunable band pass filter[C]. 18th International Conference on Radioelektronika, 2008:24-25.
[5] 周玮,吴贵能,李儒章.一种高电源抑制比CMOS运算放大器[J].微电子学,2009,39(3):340-343.
[6] ZEKI A, KUNTMAN H. Accurate and high output impedance current mirror suitable for CMOS current output stages[J]. IEEE 1997 Electronics Letters,1997,33(12),1042-1043.