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美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能 650V NPT IGBT

快速高效的40A、70A和95A晶体管提供业界最佳的开关损耗性能
2013-08-20

致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能开云棋牌官网在线客服技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。

美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率,在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时,开关速率可以获得进一步提高。针对最高150 KHz的较低速率应用,这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可让开发人员降低总体系统成本。

下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8技术,并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比,显著降低了总体开关损耗,并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统,美高森美期望扩大IGBT市场份额,根据Yole Développement最新报告,这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。

这些NPT IGBT器件易于并联(Vcesat正温度系数),可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在严苛的工业环境中可靠运作。

新的IGBT器件备有各种封装,包括TO-247、T-MAX和模块。要了解更多信息或获取样品,请联络当地分销商或美高森美销售代表或发送电子邮件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生产信息,请访问公司网站www.microsemi.com

关于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 为通信、国防与安全、航天与工业提供综合性开云棋牌官网在线客服与系统解决方案,产品包括高性能、耐辐射的高可靠性模拟和射频器件,可编程逻辑器件(FPGA)可定制单芯片系统(SoC) 与专用集成电路(ASIC);功率管理产品、时钟与语音处理器件,RF解决方案;分立组件;安全技术和可扩展反篡改产品;以太网供电(PoE)IC与电源中跨(Midspan)产品;以及定制设计能力与服务。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo,全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息,请访问网站:http://www.microsemi.com

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