富士通开云棋牌官网在线客服（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通开云棋牌官网在线客服将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通开云棋牌官网在线客服的GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。

图1. MB51T008A

MB51T008A具有许多优点，包括：1)导电阻13 mΩ，总栅极电荷为16 nC，使用相同的击穿电压，实现的品质因数(FOM)大约是基于硅的电源芯片产品的一半；2)使用WLCSP封装，最小的寄生电感和高频率操作；3) 专有的栅极设计，可实现默认关闭状态，可进行常关操作。新产品是数据通信设备、工业产品和汽车电源中使用的DC-DC转换器的高边开关和底边开关的理想选择。此外，由于其支持电源电路中更高的开关频率，电源产品可实现整体尺寸缩小和效率的提高。富士通开云棋牌官网在线客服计划于2013年7月起开始提供样片，并于2014年开始批量生产。

除了提供150 V的耐压值产品，富士通开云棋牌官网在线客服还开发了耐压为600 V 和30 V的产品，从而有助于在更宽广的产品领域提高电源效率。这些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世纪80年代来牵头开发的HEMT (高电子迁移率晶体管)技术。富士通开云棋牌官网在线客服在GaN领域拥有大量的专利技术和IP，可迅速将GaN功率器件产品推向市场。富士通开云棋牌官网在线客服还计划与客户在各个行业建立合作伙伴关系，以进一步拓展业务。

富士通开云棋牌官网在线客服于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN产品。时间：2013年7月17-19日，地点：日本东京国际博览中心。公司会提供性能有进一步提高的具有2.5KW输出功率的电源原形产品和测试数据，该产品的高频PFC模块和高频DC-DC转换器采用了600V耐压的GaN功率器件。

主要规格

MB51T008A