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一种12位500 MS/s分段型电流舵DAC的设计
来源:电子技术应用2013年第5期
黎 佳
中国科学技术大学 电子工程与信息科学系,安徽 合肥230027
摘要:基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,采用分段型电流舵结构,设计了一种基于3.3 V模拟电源电压、1.8 V数字电源电压的12位500 MS/s的D/A转换器。仿真结果显示,在采样率为500 MS/s、输入信号分别为70 MHz和240 MHz时,D/A转化器的SFDR分别为89.9 dBc和77.6 dBc。
中图分类号:TN402;TN432
文献标识码:A
文章编号: 0258-7998(2013)05-0048-03
Design of a 12-bit 500 MS/s segmented current-steering D/A converter
Li Jia
Department of Electronic Engineering and Information Science, University of Science and Technology of China, Hefei 230027,China
Abstract:Based on TSMC 0.18 μm CMOS technology, a 12-bit 500 MS/s D/A converter with 3.3 V analog supply voltage and 1.8 V digital supply voltage was designed using segmented current-steering structure. Simulation results showed that when sampling at 500 MS/s, the SFDR at 70 MHz and 240 MHz input was 89.9 dBc and 77.6 dBc respectively.
Key words :segmented current-steering;D/A converter;SFDR

现代有线、无线通信的迅猛发展,对作为通信系统核心部件的数模转化器(DAC)提出了越来越高的要求。应用在通信领域的DAC通常要求其量化精度高于10 bit,采样速率超过100 MS/s[1-3]。例如10GBASE-T以太网标准要求其系统中的DAC工作采样率为1.6 GS/s,并且直到400 MHz频率时IMD都要低于-70 dB[1]。

本文基于TMSC 0.18 μm CMOS工艺,采用6-6分段的电流舵结构,设计了一种12位500 MS/s的DAC。
1 DAC系统架构与设计
电流舵DAC可分为二进制编码型、温度计编码型和分段型三种。二进制编码型DAC无须编码电路,电流源阵列可直接由输入码字控制,因而具有面积小的优点,但其劣势在于DAC的单调性得不到保证,且DAC的差分非线性(DNL)和毛刺比较大;温度计编码型的相邻码字间只有一个电流源被切换,因此DAC的单调性、DNL和毛刺方面的性能得到了保证,但其代价是大规模的编码电路;分段型DAC结合了二进制编码型DAC面积小和温度计编码型DAC单调性好、毛刺小等优点,得到了广泛的应用[1-3]。
本文设计的DAC采用6-6分段的电流舵结构,在面积和性能之间折中。输出电流满幅为20 mA,采用差分输出的PMOS结构,输出负载为50 Ω。DAC由输入同步电路、译码器和延时电路、同步与开关驱动电路、电流源阵列和带隙基准电路等单元组成,如图1所示。12 bit数字信号经过同步电路处理后,高6位经过二进制-温度计译码器、低6位经过延时电路后送入同步及开关驱动电路,对开关的控制信号进行同步处理,并调节其电压交叉点,最后控制电流源阵列的输出电流。

2 电路设计
本文设计的DAC采用内置带隙基准模块产生基准电压,基准电压和片外电阻一起产生基准电流。DAC电路模型如图2所示。


2.2 开关驱动电路的设计
在开关控制信号SW、SWb的电平切换过程中,电流源的漏端电压会出现抖动。对PMOS电流源而言,当SW和SWb的电压交叉点在数字电源和地的中点电压 (Vdd+Vss)/2时,甚至会出现M3a和M3b同时关断的情况,极大地增大了DAC的毛刺,降低了DAC的动态特性[7]。在M1的漏端叠加一层M2构成共源共栅电流源,一方面可以提高电流源的输出阻抗,另一方面可以降低电流源漏端电压Vnode抖动对电流的影响。此外,还需要调节开关控制信号的电压交叉点。本文中所采用的开关驱动电路如图4所示[2,3,7],clk信号的加入起到对开关控制信号的同步作用。该驱动电路中,锁存器的下降沿滞后于上升沿,经过反相器后形成上升沿滞后于下降沿的控制信号SW和SWb,产生低于(Vdd+Vss)/2的电压交叉点。

3 电路仿真及测试结果
本文设计的DAC基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺模型,采用3.3 V模拟电源电压、1.8 V数字电源电压。在500 MS/s的采样率下,利用Cadence Spectre对DAC在不同输入信号频率时的SFDR进行了仿真。对DAC输出电压的瞬态波形进行4 096点离散傅里叶分析(采样率500 MS/s,差分负载50 Ω,满幅输出电流20 mA),不同输出频率下的SFDR结果如表2所示。图5和图6所示分别是采样率为500 MS/s、输入70 MHz和240 MHz正弦信号时对DAC差分输出进行4 096点DFT分析得到的频谱分析结果。

本文基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种分段式电流舵结构的12位500 MS/s的D/A转换器。仿真结果显示,该DAC具有良好的频域性能,在奈奎斯特频率范围内SFDR均高于77 dBc,适用于通信系统中的应用需求。
参考文献
[1] Li Ran,Zhao Qi,Yi Ting,et al.A 14-bit 2-GS/s DAC with SFDR>70dB up to 1-GHz in 65-nm CMOS[C].IEEE 9th International Conference on ASIC,Xiamen,China,2011:500-503.
[2] Lin Chihung,VAN DER GOES F,WESTRA J,et al. A 12 bit 2.9 GS/s DAC with IM3<-60 dBc beyond 1 GHz in 65 nm CMOS[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2009,44(12):3285-3293.
[3] BASTOS J,MARQUES A,STEYAERT M,et al.A 12-bit intrinsic accuracy high-speed CMOS DAC[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1998,33(12):1959-1969.
[4] VAN DEN BOSCH A,STEYAERT M,SANSEN W.An accurate statistical yield model for CMOS current-steering D/A converter[C].The 2000 IEEE International Symposium on Circuits and Systems,Geneva,Switzerland,2000:105-108.
[5] PELGROM M,DUINMAIJER A,WELBERS A.Matching properties of MOS transistors[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1989,24(5):1433-1439.
[6] VAN DEN BOSCH A,STEYAERT M,SANSEN W.SFDR-bandwidth limitations for high speed high resolution currents steering CMOS D/A converters[C].The 6th IEEE International Conference on Electronics,Circuits and Systems,Paphos,Cyprus,1999:1193-1196.
[7] KOHNO H,NAKAMURA Y,KONDO A,et al.A 350-MS/s 3.3-V 8-bit CMOS D/A converter using a delayed driving scheme[C].Proceedings of the IEEE 1995 Custom Integrated Circuits Conference,Santa Clara,CA,1995:211-214.

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