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瑞萨电子宣布推出适用于功率效率更高、紧凑型服务器电源的低通态电阻功率MOSFET

与之前适用于ORing应用程序的瑞萨产品相比,新型的MOSFET将通态电阻降低了50%。
2013-02-04
关键词: 电阻 MOSFET

全球领先的开云棋牌官网在线客服及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)于今天宣布推出三种新型的低通态电阻[注释1]MOSFET[注释2] 产品,包括在网络服务器和存储系统内的电源装置中作为ORing [注释3] FET使用的µPA2766T1A

新产品的30V电压通态电阻为0.72mΩ(典型值),较瑞萨电子之前的产品降低了50%,达到业内最低水平。此外,产品的高效性以及小型表面封装包(8-针HVSON)等功能可使得在更小规格的封装内完成高电流控制,从而降低了功耗、实现了相对大型服务器存储系统所用电源的微型化。

对于任务关键系统,常见的功能是提供冗余功率输出,即:通过带有对服务器存储系统保持高可靠性的多电源装置的ORing FET来完成。这些ORing FET被连接到每个电源装置的功率输出线上。在正常运行过程中,它们能够保持接通状态。但是,如果其中一个电源失效,相应装置的ORing FET将会切换到断开状态,以确保将其与其他电源装置隔离开,并保证失效电源装置不会中断系统电源。

在正常运行过程中,功率输出线路能够处理几十到几百安培的强大电流。ORing FET必须拥有低通态电阻特性以防止增加传导损耗或降低电源电压。

为了满足这种需要,瑞萨电子在本公司新型低通态电阻工艺的基础上,研发了一套(三件)MOSFET产品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和µPA2766T1A能够满足上述需要,能以更小的规格提供行业领先的电源装置内的低通态电阻。

新型低通态电阻功率MOSFET品的主要特点

  • (1)内最低的通态电

新型的µPA2766T1A 可为5 mm× 6 mm 封装内的30V应用程序提供0.72 mΩ的业内最低通态电阻,通过降低智能领域关键应用程序——网络服务器和存储系统中所使用的电源装置的传导损耗,提高了系统的总体功率效率。此外,该项功能使我们能够抑制随大电流产生的较大压降。而且,即使在电源装置出现大幅度电流波动的情况下,也能获得高精度电源电压。

  • (2)小面安装和大流控制支持功能的8HVSON封装

由于金属板用于将封装内的FET模具连接到引脚上,所以8针HVSON 封装可提供低封装电阻。此项功能,加上FET模具的低通态电阻,使得即使在尺寸为5 mm× 6 mm的紧凑型封装内,也能实现对高达130 A(ID (DC))大电流的控制。此外,在多个ORing FET以并联的形式连接到每个电源装置上以供应较大电流的情况下,产品的这一特征通过实现最少数量的并联连接,还有助于缩小设备尺寸。

这三种新型MOSFET产品,包括µPA2766T1A,拥有0.72 mΩ至1.05 mΩ(标准值)的通态电阻额定值。这一范围可实现更好的产品选择,从而能够以最佳的状态满足用户在运行电流或环境条件方面的要求。而且,它还使得客户能够提供最佳产品,有助于提高功率效率、降低空间要求。

瑞萨电子计划进一步加强产品线的拓展,继续努力降低通态电阻、开发更小规格的封装,以满足客户不断变化的需求。

  • [注释1] 通态电阻指功率MOSFETT运行时的电阻。电阻值越低,说明损耗越少(传导损耗)。
  • [注释2] MOSFET为“金属氧化物开云棋牌官网在线客服场效应晶体管”的缩写。MOSFET可根据其结构归类为P通道或N通道。新型产品为N通道MOSFET。
  • [注释3] ORing指一种配置形式,在这种配置形式下,多个电源被提供给一个载荷,而且,可自动实现在不同电源电压之间的切换,或者,该载荷被分配给所有电源。此项功能是通过功率MOSFET和控制电路实现的。

关于低通态电阻功率MOSFET产品的主要规格,请参见单独的数据表。

了解更多产品信息

定价与供情况

本公司目前可提供新型低通态电阻功率MOSFET产品的样品。样品的价格将会有所变动。µPA2764T1A的样品价格将为1.20美元/单位,µPA2765T1A为1.00美元/单位,µPA2766T1A为1.80美元/单位。我们计划在2013年2月开始新产品的批量生产,预计到2013年10月,三种产品的总体产量将会达到5,000,000个单位/月(定价和供货情况如有变化,恕不另行通知)。

(备注)
所有其他的注册商标或商标均属于其相应所有者的财产。

瑞萨电子宣布推出适用于功率效率更高、紧凑型服务器电源的低通态电阻功率MOSFET

新型低通态电阻功率MOSFET品的

型号

漏源极电压(VDSS)
[V]

源极电压
(VGSS)
[V]

漏极
(ID)
[A]

漏源极通态电[mΩ]


(Ciss)
[pF]

封装

VGSS = 10 V

VGSS = 4.5 V

典型

最大

典型

最大

µPA2766T1A

30

±20

130

0.72

0.88

1.30

1.82

10850

8针HVSON

µPA2764T1A

30

±20

130

0.90

1.10

1.60

2.45

7930

µPA2765T1A

30

±20

100

1.05

1.30

1.85

2.90

6550

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