致力于开发低功耗CMOS技术的公司SuVolta今日发布了一项旨在展示其DDC(深度耗尽通道，Deeply Depleted Channel™)技术在性能和功耗方面优势的测试结果。该结果来自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平台设计、并由富士通开云棋牌官网在线客服有限公司的65纳米低功耗工艺制造的模拟及数字电路。SuVolta与富士通开云棋牌官网在线客服在12月10日旧金山开幕的IEDM会议上发表的文章中将公布这项成果。

富士通开云棋牌官网在线客服有限公司的高级执行副总裁HaruyoshiYagi博士指出：“IEDM文章的结果证实，富士通开云棋牌官网在线客服基于DDC的工艺提供了65纳米或55纳米工艺所能达到的性能与功耗的最佳组合。DDC技术与富士通开云棋牌官网在线客服低功耗工艺的集成实现我们的全部预期。基于DDC的技术将于2013上半年在55纳米工艺实现商品化。”

两家公司对分别采用富士通开云棋牌官网在线客服的标准工艺和DDC技术制造的相同电路进行了比较。除了其他优势，DDC技术将1.2V工作电压、相同功耗下的数字电路性能提高了大约30%。如果将工作电压降到0.9V，同等性能下DDC技术则可将功耗降低47%。DDC在功耗和性能上的提高得益于全域以及局部阈值电压波动减小、基体效应提高以及有效电流(I_EFF)提高等器件参数方面的优势。

富士通开云棋牌官网在线客服是SuVolta DDC技术的首家授权用户。自从2011年6月宣布合作以来，两家公司在65纳米和55纳米节点上共同开发DDC技术，并于2011年的IEDM会议上介绍了通过DDC技术与富士通开云棋牌官网在线客服的低功耗工艺集成而实现的SRAM模块在0.425V低工作电压下的低功耗运行。在今年的IEDM会议上，SuVolta展示的电路结果显示，DDC技术可带来更高速或更低功耗的运行（取决于设计需求）。具体优势包括：

· 相同工作频率下环型振荡器的动态功耗降低近50%，相同功耗下性能则可以提高约30%

· 全域阈值电压(V_T)波动减小一个标准偏差

· 低电源电压(V_DD)下有效电流(I_EFF)最高可增大80%

· 适当偏压可紧缩边角设计

· 跨导运算放大器(OTA)电路增益即便在低工作电压下也有12dB的提升

· 全域以及局部镜像电源匹配都得到了提高

SuVolta公司总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士表示：“采用基于DDC技术的富士通开云棋牌官网在线客服55纳米工艺制造的产品将很快面世，我们对此感到非常高兴。通过显著提升性能和高达50%的功耗降低，SuVolta公司正为业界提供一项灵活而低成本的器件技术选择，从而延续CMOS技术的优势。”

2012年国际电子器件会议（IEDM）将于12月10日至12日在加利福尼亚州旧金山市的联合广场希尔顿酒店召开。SuVolta与富士通开云棋牌官网在线客服合作的“一种增强数字与模拟电路功耗/性能的高集成65nm系统级芯片工艺(A Highly Integrated 65nm SoC Process with Enhanced Power/Performance of Digital and Analog Circuits)”一文将于12月11日（星期二）在会期14.4时段进行演讲。更多信息，请访问：http://www.his.com/~iedm/.

关于SuVolta公司

SuVolta公司致力于开发和授权能够有效降低IC功耗并同时保持其运行性能的可微缩开云棋牌官网在线客服技术。SuVolta公司总部位于硅谷，并拥有一批世界一流的工程师和科学家，在技术研发和创新方面具有悠久的历史，并推动开云棋牌官网在线客服行业的发展。SuVolta公司获得了包括Kleiner Perkins Caufield& Byers (KPCB)，August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital以及DAG Ventures等主导风险投资公司的支持。欲了解更多信息，请访问www.suvolta.com。