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基于MC34063的大电流负电源设计
孙 智,张道信
(安徽大学 电子科学与技术学院,安徽 合肥 230039)
摘要: 采用MC34063设计带电流扩充的负电源电路,功率MOS管NTB2506作外接开关管,通过调节功率MOS管的栅极驱动电阻和栅-源之间的电阻,使得栅极有最优驱动电压波形和电流大小,以增加电源的输出功率和效率。实验表明,设计的电源输出电流可达1 A,且体积小、效率高。
Abstract:
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摘  要: 采用MC34063设计带电流扩充的负电源电路,功率MOS管NTB2506作外接开关管,通过调节功率MOS管的栅极驱动电阻和栅-源之间的电阻,使得栅极有最优驱动电压波形和电流大小,以增加电源的输出功率和效率。实验表明,设计的电源输出电流可达1 A,且体积小、效率高。
关键词: MC34063;NTB2506;负电源

  在干涉型光纤传感器研制中,相位载波(PGC)调制解调是较为常用的信号检测方案,由滤波电路、模拟乘法器、D/A转换电路、微分电路、积分电路等部分组成,需要采用双电源供电且对电源功率要求较大。如用线性电源方案为系统供电,要经过降压、整流、滤波产生正负2种直流电压,再用稳压芯片进行稳压,不但效率低,而且滤波电容、散热片会增加电源部分体积,不适合电路小型化的要求。而用开关电源方案供电时,只需要1套经变压器降压整流后的直流电压,就可以设计出各种输出电压的稳压电源,且电源功率密度高、发热量小[1]。
  在开关电源管理芯片中,输出为正电源的器件种类较多,电路易于设计,而输出为负电源的且输出电流达到1 A的电源电路则较难设计。本文采用MC34063设计负电源电路,NTB2506做外接功率管,并优化栅极驱动波形,以此提高电源输出电流的能力。
1 MC34063内部结构和电路工作原理
  MC34063内部原理框图如图1所示,是一种单片双极性集成电路,具有DC/DC变换器所需要的主要功能,由基准电压发生器、比较器、占空比可控的振荡器,RS触发器和大电流输出开关管等部分组成。


  MC34063电路控制方式是它激式,内部有1个振荡器,通过外接电容,产生一定频率的开关脉冲信号,以控制开关管的断通,使输出端有稳定直流电压输出,开关频率由外接电容决定。MC34063可以根据实际需要,完成各种电压变换功能。
  稳压电路工作原理如下:当输出电压低于设计规定值时,反馈端输入电压小于内部基准电源1.25 V,误差比较器输出高电平,打开“与门”,振荡器的振荡脉冲加在RS触发器的R端,使输出端Q为高电平,开关管导通,输入电压向滤波电容充电,使输出电压升高,直到反馈电压等于内部基准电源1.25 V时,电路达到平衡状态,输出电压稳定在设计时规定的值;反之,当输出电压高于设计规定值时,开关管截止,电容放电,输出电压减小,最终稳定在设计时规定的值,从而达到了稳压的目的[2]。
2 MC34063设计负电源变换电路
  MC34063开关电源控制器是一种单端输出式直流变换器, 它不仅可以设计升压和降压电路,而且还可以完成电压反相功能[3]。在设计电压反相的负电源电路时,由于受芯片内部电路结构的影响,流过开关管的电流是梯形波,效率偏低,使得输出电流超过200 mA时,电源系统就不稳定,输出纹波电压增大,不能满足在负载要求较大的情况下运行,严重影响了其应用范围[4]。
  采用MC34063设计的带电流扩充的负电源电路如图2所示。外接开关管的选用对电路性能影响很大,直接决定了电路输出电流的大小和效率的高低。用三极管做外接开关管,可以和内部功率管接成达林顿形式和非达林顿形式两种电路。采用非达林顿电路时,在开关过程中,三极管的基极存储电荷,会导致管子达到饱和状态,当达到深度饱和时,就会影响开关频率,限制了其应用范围。采用达林顿电路时,虽然不会出现电荷饱和现象,但是开关管导通时压降增加,功耗明显变大,三极管发热严重,输出电流增加有限。采用功率MOSFET做外接开关管时,具有很多优点。它是多数载流子导电的单极型电压控制性器件,不存在电荷存储问题,且开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小和无二次击穿问题等特点[5]。NTB2506是工作在低压环境下,具有高速开关特性的P沟道功率MOSFET,开关特性好、损耗小,它的漏极和源极耐压为60 V,栅极和源极电压可以达到20 V,连续工作电流可达27.5 A。故本文选用NTB2506做外接开关管与MC34063内部的功率管并接成非达林顿形式的电路结构。


  功率MOSFET的栅极驱动波形对电源的效率有着重要影响,若R5和R6值选择不当,会使电源效率偏低,功率管发热严重,输出电流减小。功率MOSFET对栅极驱动电路的要求主要有:最优的驱动电压和电流波形,最优的驱动电压和电流大小[6]。电阻R5加在栅极和源极之间,主要作用是通过电阻对功率MOSFET栅-源之间的等效电容进行充电,改善驱动电压的波形,保证开通信号具有良好的前沿陡度。如果R5的值过大,漏极与源极之间电压的突变,会通过极间电容耦合到栅极,产生相当高的栅-源尖峰电压,其电压轻则会使功率MOSFET严重发热,重则会使栅-源氧化层击穿,造成管子永久性损坏。电阻R6为栅极驱动电阻,用以调节驱动电流的大小和驱动电压的波形。功率MOSFET开通时,以低电阻对栅极电容充电;关断时,为栅极电荷提供放电回路,以提高功率MOSFET开关速度。电阻的具体数值需要在系统运行状态下通过试验进行调试,使得栅极驱动效果最好,一般情况下,电阻值不能太大。另外,电路带有感性负载,当器件在开关过程中,漏极电流的突变会产生很高的尖峰电压,可能会导致器件的击穿,开关频率越高,产生的过压越大。本文采用2种方法来消除漏极尖峰电压:一是利用二极管D在NTB2506开关过程中给电流提供放电回路;二是利用电阻R4和电容C4构成RC吸收电路,吸收NTB2506漏-源两极间的瞬时电压尖峰,这样可以基本消除尖峰电压,很好地保护了功率MOSFET。
  MC34063内部的误差放大器采用的是开环控制,占空比不能锁定,这给电感电容等参数的选择带来了困难,按照芯片说明书计算出的电感电容等值往往偏小,实际使用时一般是计算值的2~3倍。电容C3加在取样电阻两端,以稳定反馈电压的输入,改善瞬态响应波形。续流二极管选择正向导通电压小、恢复时间快的肖特基二极管,并且要注意耐压值和承受电流的能力。电感要选择线圈粗、承受电流大、自身电阻小的,使其发热量小,稳定性好。滤波电容除了需要电解电容外,一般还要选择等效串联电阻小的高频陶瓷电容,以减小电源的纹波电压。
3 实验结果
  在电源电路中,开关管导通和关断的频率高,环路电流大,在设计PCB元件布局时应使其面积最小,布线时应使相关的线路要宽。为了减小电源的电磁干扰和改善散热系统,采用镀锌钢板将整个电源部分封闭起来,将功率管NTB2506的漏极涂上导热胶,使其和钢板紧密接触来增加散热面积,降低管子温度。
    电路测试中采用的输入直流电压为18 V,输出电压为-12 V,元件参数见图2,测试不外接功率管和外接功率管分别为双极型晶体管TIP127和功率MOSFET NTB2506以及改变NTB2506栅极和源极之间电阻的条件下输出电压。输出纹波电压和电源效率的数据如表1所示,表中未填的部分表示输出电压已明显偏离-12 V。


  由表1可以看出:
  (1)不外接功率管时,电源输出电流较小,外接功率管可以明显增加电源带负载的能力。
  (2)外接双极型晶体管TIP127时比功率MOSFET NTB2506效率低,带负载能力差。
  (3)NTB2506栅极和源极之间的电阻对电源的效率和带负载能力有很大影响,因此,选择合适的栅-源之间的电阻可以显著改善电源的性能。
  功率MOSFET栅极驱动电阻的改变,对栅极驱动波形的影响如图3所示。其中,图3(a)驱动电阻为100 Ω,图3(b)为500 Ω,图3(c)为5 kΩ,且图3(c)输出电流已经达不到1 A。从3幅图的比较可以得出,栅极驱动波形随着驱动电阻的改变而改变,因此,选择合适的栅极驱动电阻可以明显改善驱动波形,减小功率MOSFET的损耗,提高效率。


    本文采用MC34063和NTB2506设计的负电源电路,具有输出电流大、成本低、效率较高的特点。实验室长时间运行表明,在大电流输出时,供电电压稳定,芯片温度不高,纹波电压在可以接受的范围内,特别适用于对负电源功率要求较大、体积要求较小的系统中。
参考文献
[1]     PRESSMAN A I. Switching power supply design[M]. 王志强,译.北京:电子工业出版社,2005.
[2] Semiconductor. MC34063 datasheet[EB/OL]. http://www.onsemi.com. 2007.
[3] 纪宗南.集成开关电源控制器MC34063的原理及其应用[J].电子技术应用,1993,19(5):30.
[4] 林善和.低成本DC/DC转换器34063的应用[J].今日电子,2005(11):84-85.
[5] 田颖,陈培红,聂圣芳,等.功率MOSFET驱动保护电路设计与应用[J].电力电子技术,2005(2):73-74.
[6] 杨汝,朱红萍.MOSFET栅极驱动优化设计[J].通信电源技术,2002(8):12.

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