NEC电子(欧洲)推出新型P沟道功率MOSFET产品
超低导通电阻DPAK/D2PAK封装新产品
2008-01-11
作者：NEC电子
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压" title="低电压">低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252（DPAK）和TO-263（D2PAK）贴片封装。产品包含2种额定漏源电压（-40V" title="40V">40V和-60V）及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件（ID（DC）<50A）中的导通电阻" title="导通电阻">导通电阻（RDS(ON)）为9.6mOhm（NP50P04SDG）至75mOhm（NP15P06SLG）。而在D2PAK封装系列中，额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻（RDS(ON)）则降至3.7mOhm。
能实现P-沟道功率MOSFETs超低" title="超低">超低导通阻抗（RDS(ON)）值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则，将单元密度提高到了160Mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻（RDS(ON)）。和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ（NP15P06SLG）至550mJ（NP100P04PLG），因芯片不同而有所差异。
这一系列低导通电阻器件符合P-沟道器件在汽车电子应用中日益增长的需求。在电池反接保护、H桥直流电机驱动等标准应用中，P-沟道功率MOSFETs与N-沟道器件相比具有明显的优势。
NP系列是NEC电子低电压开关器件" title="开关器件">开关器件家族中的一员，NEC电子的低电压开关器件为电源、汽车系统、电机控制和办公室、机器人和不间断电源提供高效率的电源管理。如需获取更详细的新P-沟道功率MOSFETs和其他PMDs信息，请访问 NEC电子（欧洲）网站：www.eu.necel.com/mosfet或NEC电子（中国）www.cn.necel.com
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